[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200680024669.8
• 申請日: 2006-07-05
• 公開（公告）號: CN101218673A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 喬斯·J·迪馬塞卡;杰里·丹;威廉·D·范德里
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種用于半導體裝置的引線框架(10)，其包括用于安裝半導體晶片(2)的晶片焊墊(11)和用于連接所述半導體晶片(2)的多根引線(12)，所述引線被布置在距離晶片焊墊(11)一段距離處；

其中，晶片焊墊(11)具有一個基本上平坦的底部表面(14)和一個頂部表面(15)，頂部表面(15)具有晶片附著部分(31)和用于連接多根向下鍵合線(5)的向下鍵合線附著部分(32)；

其中，在晶片附著表面部分(31)和向下鍵合線附著表面部分(32)之間的至少一個位置處，晶片焊墊(11)的頂部表面(15)具有至少一個處于晶片附著表面部分(31)平面外的第三表面部分，以及處于晶片附著表面部分(31)和所述第三表面部分之間的至少一個基本上為梯形的表面過渡(36；43；53；63；71；81)。

2.如權利要求1所述的引線框架，其中通過刻蝕所述頂部表面的一部分來形成所述過渡。

3.如權利要求1所述的引線框架，其中在晶片附著表面部分(31)和向下鍵合線附著表面部分(32)之間的某個位置，晶片焊墊(11)在其頂部表面(15)處具有至少一個凹槽(34；41；42；51)，其中所述第三表面部分(35；47，48；57；72；82)由所述凹槽的底部限定，并且其中所述梯形過渡(36；43，53；63；71；81)由所述凹槽的壁限定。

4.如權利要求3所述的引線框架，其中所述凹槽(34；41；42；51)被形成為基本平行于晶片焊墊(11)的側部邊緣(33)的槽。

5.如權利要求4所述的引線框架，其中所述槽(34)是一個具有對應于晶片焊墊(11)的基本上為矩形形狀的環形、封閉的槽。

6.如權利要求3所述的引線框架，其中所述凹槽(34；41；42；51)具有基本上為矩形的截面輪廓。

7.如權利要求3所述的引線框架，其中向下鍵合線附著表面部分(32)與晶片附著表面部分(31)彼此對齊。

8.如權利要求3所述的引線框架，其中晶片焊墊(11)在其頂部表面(15)處具有至少一個額外凹槽(52)，并且所述凹槽(52)位于向下鍵合線附著表面部分(32)和晶片焊墊(11)的側部邊緣(33)之間的位置。

9.如權利要求1所述的引線框架，其中在晶片附著表面部分(31)和向下鍵合線附著表面部分(32)之間的某個位置，晶片焊墊(11)在其頂部表面(15)處具有至少一個背脊(61)，其中所述第三表面部分(62)由所述背脊的頂部限定，并且其中所述梯形過渡(63；64)由所述背脊的壁限定。

10.如權利要求9所述的引線框架，其中通過刻蝕掉引線框架基本材料的一部分以分別形成晶片附著表面部分(31)和向下鍵合線附著表面部分(32)來形成所述背脊(61)。

11.如權利要求1所述的引線框架，其中晶片附著表面部分(31)和向下鍵合線附著表面部分(32)彼此不在同一個水平面上，其中所述梯形過渡(71；81)由晶片附著表面部分(31)和向下鍵合線附著表面部分(32)之間的過渡限定。

12.如權利要求11所述的引線框架，其中所述第三表面部分(72；82)與向下鍵合線附著表面部分(32)處于同一水平面。

13.如權利要求11所述的引線框架，其中向下鍵合線附著表面部分(32)比晶片附著表面部分(31)更靠近晶片焊墊(11)的底部表面(14)。

14.如權利要求13所述的引線框架，其中通過刻蝕掉引線框架基本材料的一部分以形成向下鍵合線附著表面部分(32)來形成所述梯形過渡(71)。

15.如權利要求11所述的引線框架，其中晶片附著表面部分(31)比向下鍵合線附著表面部分(32)更靠近晶片焊墊(11)的底部表面(14)。

16.如權利要求15所述的引線框架，其中通過刻蝕掉引線框架基本材料的一部分以形成晶片附著表面部分(31)來形成所述梯形過渡(81)。