[發明專利]高純度錫或錫合金及高純度錫的制造方法有效
| 申請號： | 200680023927.0 | 申請日： | 2006-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN101213326A | 公開（公告）日： | 2008-07-02 |
| 發明（設計）人： | 新藤裕一朗;竹本幸一 | 申請（專利權）人： | 日礦金屬株式會社 |
| 主分類號： | C25C1/14 | 分類號： | C25C1/14;C22B25/08;C22C13/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 王海川;樊衛民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 純度 合金 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高純度錫或錫合金，其中，U和Th各自的含量為5ppb以下，Pb和Bi各自的含量為1ppm以下，并且純度為5N以上(條件是，O、C、N、H、S、P的氣體成分除外)。
2.權利要求1所述的高純度錫或錫合金，其中，高純度錫的α射線計數為0.001cph/cm2以下。
3.一種高純度錫的制造方法，其中，用酸浸出原料錫后，將該浸出液作為電解液，使雜質的吸附材料在該電解液中懸浮，使用原料錫陽極進行電解精煉，得到U和Th各自的含量為5ppb以下，Pb和Bi各自的含量為1ppm以下，并且純度為5N以上(條件是，O、C、N、H、S、P的氣體成分除外)的高純度錫。
4.權利要求3所述的高純度錫的制造方法，其中，使用氧化物、活性炭或碳作為吸附材料。
5.權利要求3或4所述的高純度錫的制造方法，其中，將通過電解精煉得到的高純度錫在250℃至500℃下熔解鑄造，該鑄造的錠在經過6個月以上之后，α射線計數為0.001cph/cm2以下。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日礦金屬株式會社，未經日礦金屬株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680023927.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
