[發明專利]與溫度無關的放大器偏移修整電路

無效

• 申請號: 200680023530.1
• 申請日: 2006-06-29
• 公開（公告）號: CN101213740A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: A·H·阿特拉什;S·卡拉穆圖
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

1.一種具有溫度補償偏移校正的運算放大器，其包括：

運算放大器電路，包括柵極被連接以接收第一輸入信號的第一輸入場效應晶體管FET和柵極被連接以接收第二輸入信號的第二輸入FET，所述第一輸入FET和所述第二輸入FET在它們的源極和漏極中的一個的第一連接處被連接到一起，并在所述連接處接收第一偏置電流，并且通過它們的源極和漏極中的另一個被連接到第一電流反射鏡的各側；

校正放大器電路，其包括有柵極的第一校正FET和有柵極的第二校正FET，所述第一校正FET和所述第二校正FET在它們的源極和漏極中的一個的第二連接處被連接到一起，并在所述連接處接收第二偏置電流，并且通過它們的源極和漏極中的另一個被連接到第二電流反射鏡的各側；

電阻器，其被設置以在其兩端提供固定的電壓，所述電阻器的一個接線端被連接到所述第一校正FET的所述柵極，并且所述電阻器的另一個接線端被連接到所述第二校正FET的所述柵極；

第一偏置FET，其被連接以傳導來自所述第二校正FET、不流過所述第二電流反射鏡的電流；

第二偏置FET，其與所述第一偏置FET以電流反射鏡配置連接以形成第三電流反射鏡，并且所述第二偏置FET被配置以反射和依比例縮放通過所述第一偏置FET流到所述第一輸入FET和所述第二輸入FET中已選擇的一個FET的電流。

2.根據權利要求1所述的運算放大器，其中所述電阻器是被配置為分壓器的串聯連接的多個電阻器中的一個電阻器。

3.根據權利要求1或2所述的運算放大器，進一步包括修整電路，其被連接在所述第二偏置FET和所述第一輸入FET與所述第二輸入FET之間，并被配置在選擇信號的控制下，可編程地依比例縮放通過所述第二偏置FET的電流，并依照所述選擇信號可選擇地反射所述被縮放的電流到所述第一輸入FET或所述第二輸入FET。

4.一種具有溫度補償偏移校正的運算放大器，其包括：

運算放大器電路，其包括柵極被連接以接收第一輸入信號的第一輸入場效應晶體管FET和柵極被連接以接收第二輸入信號的第二輸入FET，所述第一輸入FET和所述第二輸入FET在它們的源極和漏極中的一個的第一連接處被連接到一起，并在所述連接處接收第一偏置電流，并且通過它們的源極和漏極中的另一個被連接到第一電流反射鏡的各側，所述第一電流反射鏡的兩側都連接到地；

校正放大器電路，其包括有柵極的第一校正FET和有柵極的第二校正FET，所述第一校正FET和所述第二校正FET在它們的源極和漏極中的一個在第二連接處被連接到一起，并在所述連接處接收第二偏置電流，并且通過它們的源極和漏極中的另一個被連接到第二電流反射鏡的各側，所述第二電流反射鏡的兩側都連接到地；

電阻器，其被設置以在其兩端提供固定的電壓，所述電阻器的一個接線端被連接到所述第一校正FET的所述柵極，并且所述電阻器的另一個接線端被連接到所述第二校正FET的所述柵極；

第一偏置FET，其漏極和柵極被連接到所述第二校正FET和所述第二電流反射鏡的公共節點，并且源極被連接到地；

修整電路，其具有第二偏置FET，所述第二偏置FET與所述第一偏置FET以電流反射鏡配置連接以形成第三電流反射鏡，所述修整電路并被配置以反射和依比例縮放通過所述第一偏置FET到已選擇所述第一輸入FET和所述第二輸入FET中的一個的電流。

5.根據權利要求4所述的運算放大器，其中所述電阻器是被配置為分壓器的串聯連接的多個電阻中的一個電阻器。

6.根據權利要求4或5所述的運算放大器，進一步包括修整電路，其被連接在所述第二偏置FET和所述第一輸入FET與所述第二輸入FET之間，并被配置成在選擇信號的控制下，可編程地依比例縮放通過所述第二偏置FET的電流，并依照所述選擇信號可選擇地反射所述依比例縮放的電流到所述第一輸入FET或所述第二輸入FET。