[發(fā)明專利]制造組件的方法及組件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680023338.2 | 申請日: | 2006-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN101208789A | 公開(公告)日: | 2008-06-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·德克爾;M·A·德桑貝爾;W·H·德哈斯;T·M·米希爾森;F·A·C·M·朔夫斯;N·J·A·范費(fèi)恩 | 申請(專利權(quán))人: | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L25/065;H01L21/98;H01L21/68 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 組件 方法 | ||
1.一種制造半導(dǎo)體組件的方法,包括以下步驟:
提供載體,其包括具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)的半導(dǎo)體襯底,且具有限定在所述襯底中、在所述第一側(cè)處的至少一個電元件,所述載體還包括位于所述襯底的所述第一側(cè)上的互連結(jié)構(gòu),其中限定多個接觸焊盤和至少一個至所述襯底的所述第一側(cè)的延伸部分,以及來自所述至少一個電元件和到所述至少一個電元件的互連;
將有源器件附著并電耦合到所述互連結(jié)構(gòu)中的所述接觸焊盤,所述有源器件的表面面積小于所述載體;
封裝電器件,
通過從其第二側(cè)選擇性地去除所述半導(dǎo)體襯底來形成至少一個由半導(dǎo)體材料構(gòu)成的島,以及
限定用于耦合到所述互連結(jié)構(gòu)中的所述延伸部分的外部連接的端子。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中以形成臺面狀島的這樣一種方式去除所述襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述載體在半導(dǎo)體層的第一側(cè)處設(shè)有氧化層,局部去除所述臺面狀島周圍的所述氧化層。
4.如權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述互連結(jié)構(gòu)包括應(yīng)力消除電介質(zhì)層,以允許所述有源器件與所述臺面狀島之間的相對移動。
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其中在選擇性地去除所述半導(dǎo)體襯底的過程中同時形成所述臺面狀島和所述端子,由于襯底在所述延伸部分的區(qū)域處被完全去除以便形成所述端子。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述端子形成在所述臺面狀島的表面上并通過所述臺面狀島電耦合到所述延伸部分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中對所述襯底的選擇性去除將所述互連結(jié)構(gòu)中的所述延伸部分暴露出來,其后將樹脂層設(shè)置在該第二側(cè)上,在該第二側(cè)面上限定通過延伸穿過所述樹脂層的互連而耦合到所述延伸部分的所述端子。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述有源器件設(shè)有接觸焊盤,其利用焊球耦合到所述載體的所述接觸焊盤。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其中在對所述襯底的選擇性去除之前通過研磨從其第二側(cè)來減薄該襯底,且其中僅在所述減薄步驟之后,將所述焊球施加到所述有源器件的所述接觸焊盤并對其進(jìn)行熱處理以便與所述接觸焊盤或其上的任何材料形成焊接點(diǎn)。
10.一種半導(dǎo)體組件,包括:
橫向有限的半導(dǎo)體襯底區(qū),其中限定電元件;
覆在所述襯底區(qū)之上且具有第一側(cè)和第二側(cè)的互連結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在其第一側(cè)設(shè)有用于耦合到電器件的接觸焊盤,且在其第二側(cè)設(shè)有與所述電元件的連接,
位于所述互連結(jié)構(gòu)的所述第二側(cè)處并通過延伸部分耦合到所述互連結(jié)構(gòu)的端子,橫向設(shè)置所述延伸部分并使其與所述半導(dǎo)體襯底區(qū)隔離,
耦合到所述互連結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)的電器件,以及
在所述互連結(jié)構(gòu)的所述第一側(cè)上延伸以便支撐所述互連結(jié)構(gòu)并封裝所述電器件的封裝體。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體組件,其中所述封裝體包括金屬層,并且所述互連結(jié)構(gòu)的所述延伸部分延伸到所述第一側(cè)并耦合到所述金屬層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件,其中所述封裝體包括絕緣層。
13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體組件,其中所述有源器件包括用于所述襯底區(qū)中的所述電元件的控制器件。
14.一種載體襯底,包括具有第一側(cè)和相反的第二側(cè)的半導(dǎo)體襯底,且具有限定在所述襯底中的所述第一側(cè)處的區(qū)域中的至少一個電元件,所述載體襯底還包括位于該襯底的所述第一側(cè)上的互連結(jié)構(gòu),其中限定互連結(jié)構(gòu):
暴露在所述第二側(cè)處的多個接觸焊盤,所述接觸焊盤對應(yīng)于將要安裝到其上的電器件的接觸焊盤;
至少一個至所述襯底的所述第一側(cè)的延伸部分,其與所述襯底區(qū)相鄰;
按照預(yù)定設(shè)計在所述至少一個電元件、延伸部分和接觸焊盤之間的互連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





