[發明專利]制造平板基體的方法

有效

• 申請號: 200680023110.3
• 申請日: 2006-06-28
• 公開（公告）號: CN101208457A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: H·特蘭奎克;J·維勒特
• 申請（專利權）人: OC歐瑞康巴爾斯公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C30/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉冬;韋欣華

1.一種制造平板基體的方法，所述基體大小至少2500cm²，且具有在真空反應器中用PECVD法沉積的Si層，所述真空反應器具有基體載體第一電極及與之相隔一段空間的氣體傾注第二電極，所述方法包括：

a)在所述電極之間的反應空間中產生RF等離子體放電；

b)使介電預涂層沉積在所述反應器的至少部分內表面上；

c)將一個基體引入所述反應器內；

d)使介電層沉積在所述基體的表面上；

e)用PECVD使所述Si層沉積在所述介電層上成為μc-Si層；

f)重復步驟b)至e)以制造每個單一基體。

2.權利要求1的方法，包括提供具有基體載體第一電極及與之間隔一段空間的氣體傾注第二電極的所述反應器，和在步驟c)中將所述基體引入以駐留在所述第一基體載體電極上。

3.權利要求1的方法，其中介電預涂層在所述反應器至少一部分內表面上的沉積和介電層在所述基體的第二表面上的沉積中的至少一種是用PECVD法進行的。

4.權利要求1的方法，其中將μc-Si層沉積在所述介電層上包括用等離子體激活氣體或混合氣體，產生蝕刻自由基和促進層生長的自由基。

5.權利要求4的方法，其中所述氣體或混合氣體包含SiF₄。

6.權利要求1的方法，其中步驟e)包括等離子體激活包含含硅氣體、含鹵素氣體、氫氣的混合氣體。

7.權利要求1的方法，其中步驟e)包括等離子體激活含惰性氣體的氣體或混合氣體。

8.權利要求1的方法，其中至少所述基體的所述表面是玻璃。

9.權利要求1的方法，其中步驟b)和步驟d)中至少一個步驟包括沉積氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氟氧化硅中的至少一種。

10.權利要求1的方法，其中步驟b)包括沉積氮化硅。

11.權利要求1的方法，其中步驟b)包括沉積所述介電預涂層，所述介電預涂層有效厚度d是：

200nm≤d≤500nm。

12.權利要求11的方法，其中所述有效厚度d為

200nm≤d≤400nm。

13.權利要求1的方法，其中所述步驟b)包括將所述介電預涂層沉積為無定形材料結構層。

14.權利要求1的方法，其中步驟b)中沉積的所述預涂層和步驟d)中沉積的所述介電層的材料是相同的。

15.權利要求1的方法，還包括在實施步驟b)之前用等離子體清洗所述反應器的至少所述部分內表面。

16.權利要求15的方法，其中所述清洗在等離子體激活的SF6和氧氣中進行。

17.權利要求1的方法，該方法用于制造薄膜晶體管顯示器基體。

18.權利要求1的方法，該方法用于制造液晶顯示器基體。

19.權利要求1的方法，該方法用于制造太陽能電池基體。

20.權利要求1的方法，該方法用于制造有機發光顯示板。

21.權利要求1的方法，該方法用于制造具有μc-Si層的基體，該μc-Si層作為半導體器件的層。