[發明專利]研磨劑及半導體集成電路裝置的制造方法

無效

• 申請號: 200680022823.8
• 申請日: 2006-05-12
• 公開（公告）號: CN101208781A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 竹宮聰
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社;AGC清美化學股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沙永生

1.化學機械研磨用研磨劑，它是在半導體集成電路裝置的制造中用于研磨被研磨面的研磨劑，其特征在于，含有平均一次粒徑在5～300nm的范圍內、研磨劑中的締合比在1.5～5的范圍內的磨粒(A)，氧化劑(B)，保護膜形成劑(C)，酸(D)，堿性化合物(E)和水(F)。

2.如權利要求1所述的研磨劑，其特征在于，保護膜形成劑(C)由選自式(1)表示的化合物和式(2)表示的化合物的1種以上的材料形成，

上述式中，R₁為氫原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4的烷氧基或羧基，R₂及R₃互相獨立，為氫原子、碳數1～4的烷基、碳數1～4的烷氧基、羧基或氨基。

3.如權利要求1或2所述的研磨劑，其特征在于，磨粒(A)由選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅及氧化錳的1種以上的材料形成。

4.如權利要求3所述的研磨劑，其特征在于，磨粒(A)由膠體二氧化硅形成。

5.如權利要求1～4中任一項所述的研磨劑，其特征在于，前述研磨劑的總質量為100質量％時，磨粒(A)的含有率為0.1～20質量％、氧化劑(B)的含有率為0.01～50質量％、保護膜形成劑(C)的含有率為0.001～5質量％、酸(D)的含有率為0.01～50質量％、堿性化合物(E)的含有率為0.01～50質量％、水(F)的含有率為40～98質量％。

6.如權利要求1～5中任一項所述的研磨劑，其特征在于，還含有pH緩沖劑，pH在2～10的范圍內。

7.如權利要求1～6中任一項所述的研磨劑，其特征在于，所述研磨劑是用于研磨在絕緣層上依次形成了阻擋層和金屬配線層的被研磨面的研磨劑。

8.如權利要求1～6中任一項所述的研磨劑，其特征在于，所述研磨劑是用于研磨在低介電常數材料形成的絕緣層上依次形成了覆蓋層、阻擋層和金屬配線層的被研磨面的研磨劑。

9.如權利要求7或8所述的研磨劑，其特征在于，前述金屬配線層由銅形成，阻擋層由選自鉭、鉭合金及鉭化合物的1種以上形成。

10.半導體集成電路裝置的制造方法，它是具備被埋入了絕緣層中的金屬配線層的半導體集成電路裝置的制造方法，其特征在于，使用權利要求1～9中任一項所述的研磨劑。