[發明專利]具有孔的介質基板和制造方法

無效

• 申請號: 200680022796.4
• 申請日: 2006-06-20
• 公開（公告）號: CN101248708A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 李勇進;付一良;大倉啟幸;伊東正彥;小柳達則
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: H05K1/00
• 分類號: H05K1/00;H05K3/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 孫志湧;陸錦華

1.一種在介質基板中形成孔的方法，包括步驟：

將一層光致抗蝕劑涂敷到介質基板上，

通過光掩模將光致抗蝕劑的一部分暴露到光化輻射，以在光致抗蝕劑中形成用于在基板中將被蝕刻的孔陣列的圖案，

顯影該光致抗蝕劑，

蝕刻該介質基板以形成孔陣列，每個孔至少部分地延伸通過介質基板，以及

移除過多的光致抗蝕劑。

2.如權利要求1所述的在介質基板中形成孔的方法，其中蝕刻介質基板的步驟形成部分地延伸通過介質基板的孔陣列。

3.如權利要求1或權利要求2所述的在介質基板中形成孔的方法，其中該介質基板是柔性的。

4.如權利要求1至3中任一項所述的在介質基板中形成孔的方法，進一步包括步驟：

提供包括明顯不同的點的陣列的光掩模，

通過該光掩模，將光致抗蝕劑的一部分暴露到光化輻射，

蝕刻介質基板以形成孔陣列，其中

選擇光掩模上的點的尺寸，以便在蝕刻之后形成在介質基板中的至少兩個孔是相連的。

5.如權利要求1至3中任一項所述的在介質基板中形成孔的方法，進一步包括步驟：

提供包括明顯不同的點的陣列的光掩模，

通過光掩模，將光致抗蝕劑的一部分暴露到光化輻射，

蝕刻介質基板，以形成孔陣列，其中

選擇光掩模上的點的間距，以便在蝕刻之后形成在介質基板中的至少兩個孔是相連的。

6.如權利要求1至3中任一項所述的在介質基板中形成孔的方法，進一步包括步驟：

提供包括明顯不同的點的陣列的光掩模，

通過光掩模，將光致抗蝕劑的一部分暴露到光化輻射，

蝕刻介質基板，以形成孔陣列，其中

選擇光掩模上的點的尺寸和間距，以便在蝕刻之后形成在介質基板中的至少兩個孔是相連的。

7.如權利要求1至6中任一項所述的在介質基板中形成孔的方法，其中布置孔陣列以在介質基板中形成折疊導桿。

8.如權利要求7所述的在介質基板中形成孔的方法，其中該折疊導桿基板的蝕刻部分的厚度是未蝕刻的介質基板的厚度的約80％。

9.如權利要求1至8中任一項所述的在介質基板中形成孔的方法，其中該介質基板由聚酰亞胺形成。

10.一種介質基板，包括：

至少一個孔陣列，該至少一個孔陣列被至少部分地蝕刻到該介質基板中，

形成在該介質基板上的布線，以及

層疊在該布線上方以保護該布線的阻焊劑。

11.如權利要求10所述的介質基板，其中該孔陣列在該介質基板中被部分地蝕刻。

12.如權利要求10或權利要求11所述的介質基板，其中該介質基板是柔性的。

13.如權利要求10至12中任一項所述的介質基板，其中在蝕刻之后，基板中的多個孔中的至少兩個孔是相連的。

14.如權利要求10至13中任一項所述的介質基板，其中孔陣列被布置為在該介質基板中形成折疊導桿。

15.如權利要求14所述的介質基板，其中該折疊導桿基板的蝕刻部分的厚度是未蝕刻的介質基板的厚度的約80％。

16.如權利要求10至15中任一項所述的介質基板，其中該介質基板由聚酰亞胺形成。

17.如權利要求10至16中任一項所述的介質基板，其中該介質基板可進一步包括至少一個集成電路。

18.一種在介質基板中形成孔的方法，包括步驟：

將一層光致抗蝕劑涂敷到介質基板上，

通過光掩模，將光致抗蝕劑的一部分暴露到光化輻射，以在光致抗蝕劑中形成用于在基板中將被蝕刻的包括至少一個孔陣列的多個孔的圖案，

顯影該光致抗蝕劑，

蝕刻該介質基板，以形成部分地延伸通過該介質基板的孔陣列和完全延伸通過該介質基板的至少一個孔，以及

移除過多的光致抗蝕劑。

19.如權利要求18所述的在介質基板中形成孔的方法，其中該介質基板是柔性的。