[發明專利]濺射靶及光信息記錄介質用薄膜有效
| 申請號： | 200680022785.6 | 申請日： | 2006-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN101208451A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 高見英生;矢作政隆 | 申請（專利權）人： | 日礦金屬株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C04B35/547;C04B35/453;G11B7/26;G11B7/257;G11B7/254 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 王海川;樊衛民 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濺射 信息 記錄 介質 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種濺射靶，其中，以硫化鋅與由氧化銦、氧化鋅及其它三價陽性元素A構成的氧化物為主要成分，硫相對于全部構成成分的比率為5至30重量％，XRD測定的立方晶系ZnS的(111)峰強度I1與六方晶系ZnS的(100)峰強度I2共存并且滿足I1＞I2。
2.權利要求1所述的濺射靶，其中，立方晶系ZnS的(111)峰的半值寬度的平均值為0.25以下，半值寬度的標準偏差為0.06以下。
3.權利要求1或2所述的濺射靶，其中，三價的陽性元素A為選自鋁、鎵、釔、鑭中的一種以上成分的材料。
4.權利要求1至3任一項所述的濺射靶，其中，硫化物相的平均結晶粒徑大于氧化物相的平均結晶粒徑，并且為10μm以下。
5.權利要求1至4任一項所述的濺射靶，其中，相對密度為85％以上，基于三點彎曲強度(JIS?R?1601)的強度平均值為50MPa以上，Weibull系數為5以上。
6.使用權利要求1至5任一項所述的濺射靶形成的光信息記錄介質用薄膜。
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