[發明專利]發光元件、發光器件和電子設備

有效

• 申請號: 200680022551.1
• 申請日: 2006-04-17
• 公開（公告）號: CN101203968A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 巖城裕司;瀨尾哲史;川上貴洋;池田壽雄;坂田淳一郎
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

技術領域

本發明涉及一種發光元件，其具有在電極之間包含發光物質的層，本發明還涉及具有該發光元件的發光器件以及電子設備。

背景技術

近年來作為顯示裝置的像素或照明裝置的光源吸引注意力的發光元件，具有在電極之間的發光層，而且包含在該發光層中的發光物質在電極之間有電流流過時發光。

在這種發光元件的研發領域，重要的目的之一是要延長發光元件的使用壽命。這是因為為發光器件提供的發光元件需要令人滿意地長時間運行，以便在令人滿意的條件下長時間使用發光器件如照明裝置或顯示裝置。

作為實現發光元件的壽命延長的技術之一，例如在專利文獻1(專利文獻1：日本專利公開文本H9-63771)中提到了一種涉及使用氧化鉬等等作為陽極的發光元件的技術。

可以想到專利文獻1中提到的技術也是有效的；但是，氧化鉬很容易結晶，因此在專利文獻1提到的技術中，很容易出現發光元件由于結晶而產生運行故障的問題。此外，氧化鉬具有較低的電導率；因此如果由氧化鉬制成的層太厚則電流不容易流過。

發明內容

本發明的一個目的是要提供一種發光元件，該發光元件可以減少由于在電極之間的層中包含的化合物結晶而導致的運行故障。

本發明的一個方面是一種發光元件，其具有在一對電極之間包括芳族烴和金屬氧化物的層。對芳族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有1×10^-6cm²/Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴是優選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金屬氧化物，展示出對芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優選的。作為這樣的金屬氧化物，例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。

本發明的一個方面是一種發光元件，其在第一電極和第二電極之間具有發光層，以及在該發光層和第一電極之間包括芳族烴和金屬氧化物的層。當對每個電極施加電壓，使得第一電極的電位高于第二電極的電位時，包含在發光層中的發光物質就發射光。對芳族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有1×10^-6cm²/Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴是優選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金屬氧化物，展示出對芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優選的。作為這樣的金屬氧化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。

本發明的一個方面是一種發光元件，其在第一電極和第二電極之間具有發光層、第一混合層和第二混合層，其中當對每個電極施加電壓，使得第一電極的電位高于第二電極的電位時，包含在發光層中的發光物質就發射光。在這種發光元件中，發光層比第一混合層更靠近第一電極，而且第二混合層比第一混合層更靠近第二電極。第一混合層是包括電子傳輸物質和從堿性金屬、堿土金屬、堿性金屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿性金屬氟化物以及堿土金屬氟化物中選擇的一種物質的層。在此，作為堿性金屬例如給出鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)等。作為堿土金屬，例如給出鎂(Mg)、鈣(Ca)等。作為堿性金屬氧化物，例如給出氧化鋰(Li₂O)、氧化鈉(Na₂O)、氧化鉀(K₂O)等。作為堿土金屬氧化物，給出氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)等。作為堿性金屬氟化物，給出氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)等。作為堿土金屬氟化物，給出氟化鎂(MgF₂)、氟化鈣(CaF₂)等。第二混合層是包括芳族烴和金屬氧化物的層。在此，對芳族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有1×10^-6cm²/Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴是優選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金屬氧化物，展示出對芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優選的。作為這樣的金屬氧化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。