[發(fā)明專利]圖像傳感器像素及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680022212.3
• 申請日: 2006-06-14
• 公開（公告）號(hào): CN101203959A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸哲秀
• 申請（專利權(quán)）人: （株）賽麗康;樸哲秀
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余朦;方挺

1.一種圖像傳感器像素，包括：

光電二極管，埋入半導(dǎo)體襯底內(nèi)部；以及

像素晶體管，在所述光電二極管形成之后形成。

2.如權(quán)利要求1所述的像素，還包括溝槽區(qū)，其在所述半導(dǎo)體襯底的特定區(qū)域內(nèi)形成。

3.如權(quán)利要求2所述的像素，還包括場氧化層，其形成在所述溝槽區(qū)的上部。

4.一種圖像傳感器像素，包括：

多個(gè)像素晶體管；

場氧化層，其將所述像素晶體管分隔開；以及

光電二極管，位于所述場氧化層的特定或全部區(qū)域的下部。

5.一種圖像傳感器像素的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底的特定區(qū)域內(nèi)形成溝槽區(qū)；

形成包括至少一部分所述溝槽區(qū)的光電二極管；以及

在所述光電二極管形成之后，形成像素晶體管。

6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，還包括在所述光電二極管形成之后，在所述溝槽區(qū)的上部形成場氧化層。