[發明專利]用于低電壓場致發光器件的有機元件

無效

• 申請號: 200680021616.0
• 申請日: 2006-06-02
• 公開（公告）號: CN101199063A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: W·J·貝格里;T·K·哈瓦;M·拉杰斯瓦藍;N·安德威斯基
• 申請（專利權）人: 伊斯曼柯達公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 段曉玲;韋欣華

1.OLED器件，其依序包含陰極、發光層和陽極，并具有位于陰極和發光層之間的含有(a)多于10體積％的碳環稠環芳族化合物和(b)堿金屬或堿土金屬中的至少一種鹽或絡合物的層。

2.權利要求1的器件，其中該層是發光的。

3.權利要求1的器件，其中該層不發光。

4.權利要求1的器件，其中該層鄰接發光層。

5.權利要求1的器件，其中稠環芳族化合物是并四苯。

6.權利要求1的器件，其中碳環稠環芳族化合物由式(1)表示：

其中：

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁和R₁₂獨立地選自氫和取代基；

條件是任何所示取代基可以連接形成進一步的稠環。

7.權利要求1的器件，其中稠環芳族化合物由式(2)表示：

其中：

Ar¹-Ar⁴代表獨立選擇的芳族基團；

R¹-R⁴代表氫或獨立選擇的取代基。

8.權利要求7的器件，其中R¹與R⁴相同并且都不是氫，Ar¹與Ar⁴相同，Ar²與Ar³相同。

9.權利要求1的器件，其中稠環芳族化合物是紅熒烯化合物。

10.權利要求1的器件，其中稠環芳族化合物是：

11.權利要求1的器件，其中稠環芳族化合物由式(3)表示：

其中：

W₁-W₁₀獨立地代表氫或獨立選擇的取代基，條件是兩個相鄰取代基可以結合形成環。

12.權利要求11的器件，其中W₉和W₁₀中至少一個是芳基。

13.權利要求11的器件，其中W₂、W₃、W₆和W₇中至少一個是取代基。

14.權利要求11的器件，其中W₂、W₃、W₆和W₇中至少一個是芳基。

15.權利要求1的器件，其中碳環稠環芳族化合物構成該層的15-95體積％。

16.權利要求1的器件，其中碳環稠環芳族化合物構成該層的25-90體積％。

17.權利要求1的器件，其中碳環稠環芳族化合物構成該層的50-80體積％。

18.權利要求1的器件，其中(b)是有機鹽。

19.權利要求1的器件，其中(b)是無機鹽。

20.權利要求1的器件，其中(b)是包括鹵化物、氧化物、乙酸鹽或甲酸鹽的鹽。

21.權利要求1的器件，其中(b)是包括氟化物的鹽。

22.權利要求1的器件，其中金屬絡合物是鋰絡合物。

23.權利要求1的器件，其中(b)是式(4)所示的金屬絡合物：

(M)_m(Q)_n??(4)

其中：

M代表堿金屬或堿土金屬；

每個Q是獨立選擇的配體；

m和n是為了在絡合物(4)上提供中性電荷而選擇的整數。

24.權利要求23的器件，其中M代表Li⁺。