[發明專利]金屬構件的保護膜構造及采用該保護膜構造的金屬零件、半導體或平板顯示器制造裝置

無效

• 申請號: 200680020909.7
• 申請日: 2006-06-16
• 公開（公告）號: CN101218376A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 大見忠弘;白井泰雪;森永均;河瀨康弘;北野真史;水谷文一;石川誠;岸幸男
• 申請（專利權）人: 國立大學法人東北大學;三菱化學株式會社;日本陶瓷科技股份有限公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C8/10;C25D11/08;C25D11/10;C25D11/16;C25D11/18;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種金屬構件的保護膜構造，是半導體等的制造裝置中使用的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，具有第1皮膜層和第2皮膜層，其中，該第1皮膜層具有由母材金屬的直接氧化而形成的氧化物皮膜，該第2皮膜層由與第1皮膜層不同的材料構成。

2.根據權利要求1所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，在形成第1皮膜層之前，對所述母材金屬的表面進行噴丸處理。

3.根據權利要求1所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第1皮膜層為通過金屬的熱氧化形成的氧化物皮膜。

4.根據權利要求1所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第1皮膜層是通過由pH4～pH10的有機類化成液構成的電解質溶液進行陽極氧化而形成的氧化物皮膜。

5.根據權利要求1所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第1皮膜層是通過由pH4～pH10的無機類化成液構成的電解質溶液進行陽極氧化而形成的氧化物皮膜。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第1皮膜層的膜厚為1微米以下。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第2皮膜層是由通過等離子體熔射法形成的氧化鋁、氧化釔、氧化鎂以及它們的混晶的任一種構成的皮膜。

8.根據權利要求7所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第2皮膜層的厚度為200微米左右。

9.根據權利要求1～6中任一項所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第2皮膜層是由鍍NiP、鍍Ni、鍍Cr中的至少一種構成的皮膜。

10.根據權利要求1～6中任一項所述的金屬構件的保護膜構造，其特征在于，所述第2皮膜層是通過氟樹脂涂敷形成的氟樹脂皮膜。

11.一種半導體或平板顯示器制造裝置用氣體供給噴頭，其特征在于，采用權利要求1～10中任一項所述的金屬構件的保護膜構造。

12.一種半導體或平板顯示器制造裝置用金屬零件，其特征在于，采用權利要求1～10中任一項所述的金屬構件的保護膜構造。

13.一種半導體或平板顯示器制造裝置，其特征在于，采用權利要求1～10中任一項所述的金屬構件的保護膜構造。

14.一種半導體或平板顯示器制造裝置，其特征在于，將權利要求1～10中任一項所述的金屬構件的保護膜構造用于處理室內壁。