[發明專利]具有微分負電阻硫屬化合物裝置的靜態隨機存取存儲器單元及其形成方法

無效

• 申請號: 200680020753.2
• 申請日: 2006-04-19
• 公開（公告）號: CN101194321A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 劉軍;特里·L·吉爾東
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/38
• 分類號: G11C11/38
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

1.一種隨機存取存儲器裝置，其包括：

第一微分負電阻硫屬化合物裝置；

第二裝置，其與所述第一微分負電阻裝置串聯電連接，所述第一微分負電阻硫屬化合物裝置與所述第二裝置的所述串聯連接形成連接節點，所述連接節點提供代表所述存儲器裝置的級狀態的電壓；及

開關，其耦合到所述節點以用于將電壓耦合到所述連接節點并切換所述存儲器裝置的存儲器狀態。

2.如權利要求1所述的裝置，其中所述第二裝置為第二微分負電阻硫屬化合物裝置。

3.如權利要求1所述的裝置，其中所述第二裝置為反向偏壓二極管。

4.如權利要求1所述的裝置，其中所述第一微分負電阻硫屬化合物裝置和所述第二裝置彼此上下堆疊且共享共用電極。

5.如權利要求1所述的裝置，其中至少所述第一微分負電阻硫屬化合物裝置包括：

第一電極和第二電極；及

硫屬化合物結構，其將所述第一與第二電極分離且與之電連通，所述硫屬化合物結構表現出微分負電阻特性。

6.如權利要求5所述的裝置，其中所述硫屬化合物層包括第一硫屬化合物玻璃層、與所述第一硫屬化合物玻璃層接觸的金屬硫屬化合物層、及與所述金屬硫屬化合物層接觸的第二硫屬化合物玻璃層。

7.如權利要求1所述的裝置，其中所述第一和第二微分負電阻硫屬化合物裝置中的至少一者具有室溫下峰谷比至少為130的電流電壓曲線。

8.如權利要求1所述的裝置，其中所述開關施加相對低或相對高的電壓。

9.如權利要求8所述的裝置，其中所述節點輸出各自相對低或相對高的電壓。

10.如權利要求1所述的裝置，其中以并排配置來提供所述第一和第二微分負電阻硫屬化合物裝置。

11.如權利要求1所述的裝置，其進一步包括電連接到所述節點的寄生電容。

12.一種隨機存取存儲器裝置，其包括：

微分負電阻硫屬化合物裝置；

反向偏壓二極管，其與所述微分負電阻硫屬化合物裝置串聯電連接，所述微分負電阻硫屬化合物裝置與所述反向偏壓二極管的所述串聯連接形成連接節點；及

開關，其耦合到所述連接節點以用于切換所述存儲器裝置的存儲器狀態。

13.如權利要求12所述的裝置，其中所述微分負電阻硫屬化合物裝置包括：

第一電極和第二電極；及

電阻可變區域，其將所述第一與第二電極分離且與之電連通，所述電阻可變區域表現出微分負電阻存儲器行為且響應于所施加的電壓而存儲至少一個存儲器狀態。

14.一種形成隨機存取存儲器裝置的方法，其包括：

形成第一微分負電阻硫屬化合物裝置；

形成第二微分負電阻硫屬化合物裝置；

在所述第一與第二微分負電阻硫屬化合物裝置之間形成電極；及

形成耦合到所述電極的開關元件。

15.如權利要求14所述的方法，其進一步包括將所述第一微分負電阻硫屬化合物裝置與所述第二微分負電阻硫屬化合物裝置串聯連接到一對供電終端，一個用于使用第一參考電壓而另一個用于使用第二參考電壓。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述第一參考電壓相對于所述第二參考電壓為負。

17.如權利要求14所述的方法，其中與所述形成所述第二微分負電阻硫屬化合物裝置的步驟同時實施所述形成所述第一微分負電阻硫屬化合物裝置的步驟。

18.如權利要求14所述的方法，其中在所述形成所述第二微分負電阻硫屬化合物裝置的步驟之前實施所述形成所述第一微分負電阻硫屬化合物裝置的步驟。

19.如權利要求14所述的方法，其進一步包括將寄生電容器電連接到所述電極。

20.一種形成靜態隨機存取存儲器裝置的方法，其包括：

形成微分負電阻硫屬化合物裝置；

形成反向偏壓二極管；

在所述微分負電阻硫屬化合物裝置與所述反向偏壓二極管之間形成電極；及

形成耦合到所述電極的開關元件。