[發明專利]對第一有效NAND命令的配置最終確定

有效

• 申請號: 200680020712.3
• 申請日: 2006-04-28
• 公開（公告）號: CN101194319A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 弗朗姬·F·魯帕爾瓦爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/20
• 分類號: G11C7/20;G11C16/20
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

技術領域

本發明大體上涉及存儲器，且特定來說本發明涉及存儲器中電路的啟動配置。

背景技術

NAND裝置正變得越來越普遍，且開始進入嵌入式領域。這正在將此類電路中的電壓操作范圍從典型的3伏范圍向1.8伏范圍擴展。對于所述操作區，在集成電路或NAND裝置開始操作之前重設所有電路的加電重設(POR)電路必須以低得多的電壓接通。由于過程和溫度的變化，這些電路的斷路點顯著變化在一些情況下達到近似1伏的范圍。這對于存儲器電路的可靠操作來說是非常低的。許多配置寄存器和其它組件需要在加電時設定，包含(僅舉例來說而不作為限制)冗余熔斷器、其它功能熔斷器或需要在加電時檢測的引腳，其改變裝置與外部世界通信的方式。

因為這些類型的存儲器裝置的電流消耗非常低，所以對熔斷器的讀取具有進一步風險。在一些情況下，電流消耗低于一微安。用非常低的電流在非常低的電壓下讀取或配置此類電路最好情況下也是不可靠的，且可能導致許多潛在的問題。

NAND裝置的問題之一在于，由于其具有平均小于一微安的非常低的功率消耗，因此每個或幾乎每個電路在并非需要其用于操作時必須關斷。此外，存在結泄漏的問題。使每個電路關斷是個問題，因為某些電路元件、節點和裝置需要在操作之前預先調節。

在典型電路中遇到幾個難點。內部熔斷器是其中之一。在許多情況下，在加電時讀取熔斷器。存儲器中的內部熔斷器用于隔開存儲器內的電壓或其它條件。通過NOR單元技術，在加電期間，用鎖存器等喚醒電路組件、節點等。在加電時或在POR時，鎖存器的一側被下拉，這使鎖存器翻轉。參看圖1，展示鎖存器100，其具有POR電路102以及編程和擦除電路104和106。對鎖存器100的一個輸入是編程輸入，且對鎖存器的一個輸入是擦除輸入。在使用圖1的鎖存器和電路的存儲器的操作期間，圖1的電路是可接受的。

然而，POR必須足夠低以使得其決不會移到裝置的操作范圍中。在1.5伏是最低Vcc范圍的電路中，這進一步限制了POR電壓，因為存在大約十分之三到十分之四伏的固有過程變化和溫度變化。因此，為了將POR保持在電壓操作范圍以外，POR必須設定在1伏左右。在裝置中閾值電壓較高，大約0.8到0.9伏的情況下，POR電壓非常接近于當裝置接通時的電壓。使用POR來嘗試設定電壓和配置啟動條件及預調節變得非常困難，因為如果過程邊限即使移動較小量，也不能讀取熔斷器或電路。

用低操作電壓解決所述問題的其它嘗試包含完全消除POR，如圖2所示。然而，在NAND裝置中，由于NAND配置成塊，因此單一單元無法執行工作。在此配置中，比如作為擦除單元(元件202)的64個單元和作為編程單元(元件204)的64個單元的微型陣列連接到鎖存器200的輸入。如果所有編程均是擦除編程，那么降到0的鎖存器側不會受到影響。也就是說，作為擦除的64個單元將把鎖存器的一側拉到0，且鎖存器的另一側理論上變高，且不會有電流消耗。然而，如果在單元中任一者上存在即使輕微的泄漏，也會在一側拉動一定量的電流，所述側快速開始消耗1微安左右的有限電流。

圖3中展示對處理尤其是圖2的問題的另一建議，圖3中存在通過電阻器306和308連接到地的墊302和304。如果沒有任何東西接觸墊，那么其二者將為低。然而，當將墊堆疊時，某一者可能在堆疊之后連接到Vcc。如果迫使墊為高，那么由于引發電流通過電阻器，所述電阻器再次開始消耗可用的有限電流，因此仍然存在泄漏問題。

出于以上陳述的原因，且出于下文中陳述的所屬領域的技術人員在閱讀和理解本說明書之后將明了的其它原因，此項技術中需要一種低電流消耗操作NAND配置。

發明內容

本發明解決裝置配置的上述問題和其它問題，且通過閱讀和學習以下說明書將理解所述問題。

在一個實施例中，一種配置存儲器裝置的方法包含：在加電時開始配置序列；識別對所述存儲器裝置的第一有效命令；以及在識別所述第一有效命令之后終止所述存儲器裝置的配置。

在另一實施例中，一種初始化NAND裝置的方法包含：使用高電流配置電路用于啟動操作，直到發布有效命令為止；以及當發布有效命令時切斷所述高電流配置電路。

在又一實施例中，一種在啟動期間向存儲器裝置提供額外電流的方法包含：在加電時用大于操作電流消耗電平的第一電流消耗電平來開始配置序列；識別對所述存儲器裝置的第一有效命令；在識別所述第一有效命令之后終止處于所述第一電流消耗電平的存儲器裝置的配置；以及用所述操作電流消耗電平繼續所述存儲器裝置的操作。