[發明專利]二氧化硅膜形態的控制有效
| 申請號: | 200680019446.2 | 申請日: | 2006-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN101203581A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發明(設計)人: | 保羅·梅霍迪思;邁克爾·哈維 | 申請(專利權)人: | 干燥涂層有限公司 |
| 主分類號: | C09K3/18 | 分類號: | C09K3/18;C03C17/30;C08G77/18;C09D5/33;C09D183/06;G02B1/11 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 | 代理人: | 樓高潮 |
| 地址: | 澳大利*** | 國省代碼: | 澳大利亞;AU |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二氧化硅 形態 控制 | ||
1.一種形成涂布于基底上的二氧化硅或二氧化硅類膜的方法,包括以下步驟:通過向溶劑中加入下式的可水解硅酸鹽低聚物來制備前體制劑:
其中,每個X都獨立地選自可水解或不可水解的基團的范圍,附帶條件是至少三個X必須是可水解基團;
在所述基底上形成所述前體制劑的涂層;
然后通過在含有堿、水和遲延劑的汽態環境下水解并冷凝涂層來固化所述涂層,所述延遲劑延遲可水解硅酸鹽低聚物的水解。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,固化步驟包括以下步驟:將經涂布的基底放置在具有延遲劑汽化物的室中,并隨后向所述室內導入水和堿。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,如果X為可水解基團,其可選自可水解基團的范圍,包括但不限制于C1-C10烷基、包括苯基或萘基在內的芳基、經取代的C1-C10烷基或芳基。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,如果X為不可水解基團,其可選自不可水解的基團范圍,包括烷基、烯基、芳基或用鹵素、氮、氧、硫或硅取代的烷基、烯基或芳基基團。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,X可用一種或多種惰性取代基如鹵素,實例有氟;芳基;雜芳基;或者任何不影響膜形成的含有氮、氧或硫的取代基來取代。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述堿為揮發性的有機堿如揮發性含氮堿、實例有氨水,包括伯胺、仲胺或叔胺在內的揮發性氨基烷烴、或者揮發性的氨基烯烴、生物堿等。
7.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述堿為氨水。
8.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述溶劑是選自下列組的一種醇:甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、戊醇和某些其它的多元醇例如乙二醇。
9.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述可水解硅酸鹽低聚物源自下式的分子式前體:
XmSi(OR)n
其中n=3或4,
m=4-n,
每個R獨立地選自可水解基團的范圍,且每個X為獨立地選自不可水解基團范圍的不可水解的基團。
10.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,進一步包括通過控制汽態環境中堿、延遲劑和水的各自分壓而進行膜形態控制的步驟。
11.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,進一步包括選擇溶劑來控制膜內孔的步驟。
12.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,進一步包括選擇溶劑濃度來控制膜內孔密度的步驟。
13.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,進一步包括選擇汽態環境中延遲劑的濃度來控制膜內孔密度的步驟。
14.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成涂層的步驟通過旋涂或浸涂來完成。
15.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,可通過選擇所述涂布條件以獲得所需的膜厚。
16.根據權利要求14所述的方法,其特征在于,可通過選擇所述涂布條件以獲得膜所需的折射率。
17.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述前體制劑可在中性或近pH條件下進行制備。
18.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述前體制劑包含有體積百分比小于5%的水。
19.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述固化步驟在室溫或近室溫以及大氣壓力下加以實施。
20.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述膜的折射率在1.1-1.56之間,膜厚小于100微米。
21.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,進一步包括在向所述室內導入水和堿前,使涂層與所述遲延劑汽化物平衡的步驟。
22.根據權利要求1所述的方法制備的膜的用途,其特征在于,當涂布到透明基底上時,可提供抗反射涂層和/或抗霧化涂層和/或保護涂層。
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