[發明專利]金屬氮化物的選擇性濕蝕刻無效
| 申請號: | 200680019359.7 | 申請日: | 2006-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN101248516A | 公開(公告)日: | 2008-08-20 |
| 發明(設計)人: | 威廉·A·沃伊特恰克;迪安·德維爾夫 | 申請(專利權)人: | 塞克姆公司 |
| 主分類號: | H01L21/3213 | 分類號: | H01L21/3213 |
| 代理公司: | 北京邦信陽專利商標代理有限公司 | 代理人: | 王昭林;崔華 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 氮化物 選擇性 蝕刻 | ||
1、一種濕蝕刻組合物包含:過氧化氫、有機鎓氫氧化物和酸。
2、根據權利要求1所述的組合物,其特征在于,酸為有機酸或無機酸,或其兩種或更多種的混合。
3、根據權利要求1所述的組合物,其特征在于,有機鎓氫氧化物不同于TMAH。
4、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,有機鎓氫氧化物包含一種或多種的銨、鏻、鋶、氧化鋶、氫氧化咪唑鎓。
5、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,酸包含甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、戊酸、乙基甲基乙酸、三甲基乙酸、檸檬酸、羥基乙酸、丁烷四羧酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、五倍子酸、二十二烷酸、二十烷酸、十八烷酸、十六烷酸、十二烷酸、水楊酸、苯甲酸和3,5-二羥基苯甲酸,或其任意兩種或更多種組合。
6、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,酸包含膦酸、次膦酸、磷酸或亞磷酸或其任意兩種或多種的混合。
7、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,酸包含次氮基三亞甲基膦酸、羥基亞乙基二膦酸、苯基膦酸、甲基膦酸、苯基次膦酸,或其任意兩種或多種的混合。
8、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,酸包含有機磺酸。
9、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,酸包含鹽酸、硝酸、硫酸、亞硫酸、氫溴酸、高氯酸、氟硼酸、植酸、亞磷酸、羥基亞乙基二膦酸、次氮基三亞甲基膦酸、甲基膦酸、苯基膦酸、苯次膦酸、N-(2-羥乙基)-N′-(2-乙磺酸)(HEPES)、3-(N-嗎啉)丙烷磺酸(MOPS)、哌嗪-N,N′-二(2-乙磺酸)(PIPES)、甲磺酸、乙二磺酸、甲基苯磺酸、次氮基三乙酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、乳酸、抗壞血酸、五倍子酸、磺基乙酸、2-磺基苯甲酸、對氨基苯磺酸、苯乙酸、三甲胺乙內酯、巴豆酸、乙酰丙酸、丙酮酸、三氟乙酸、氨基乙酸、環己烷羧酸、環己烷二羧酸、環戊烷二羧酸、己二酸和其兩種或更多種的混合或組合。
10、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,相對于一種或多種硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅,該組合物選擇性蝕刻金屬氮化物。
11、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,該組合物是選擇性蝕刻關于光致抗蝕劑材料溶脹的金屬氮化物。
12、根據任一上述權利要求所述的組合物,其特征在于,有機鎓氫氧化物包含一種或多種的四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、甲基三苯基氫氧化銨、苯基三甲基氫氧化銨、芐基三甲基氫氧化銨、甲基三乙醇基氫氧化銨、四丁基氫氧化鏻、甲基三苯基氫氧化鏻、三己基四癸基氫氧化鏻、三丁基四癸基氫氧化鏻、[(CH3)3NCH2CH(OH)CH2N(CH3)3]2+[OH-]2,1-丁基-3甲基氫氧化咪唑鎓、三甲基氫氧化鋶、氫氧化三甲基氧化鋶、三甲基(2,3-二羥基丙基)氫氧化銨、[(C6H5)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2(C6H5)]4+[OH-]4、和[(CH3)3NCH2CH(OH)CH2OH]+[OH-]、二氫氧化六甲銨。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





