[發明專利]利用改進的NPN雙極晶體管基極接入電阻的方法和器件

無效

• 申請號: 200680019342.1
• 申請日: 2006-06-01
• 公開（公告）號: CN101189728A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 譚博成;彼得·戴克勒;西塞羅·西爾韋拉·沃謝
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L29/08
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種垂直晶體管，包括：

至少2個發射極條(301)，每個包括：

一個基極區，一個發射極區，和一個集電極區，其中所述的至少2個發射極條(301)共用一個共同DTI區(311)和一個單基極多晶硅(304)。

2.如權利要求1所述的垂直晶體管，其中所述晶體管是NPN晶體管。

3.如權利要求1所述的垂直晶體管，其中所述晶體管是PNP晶體管。

4.一種形成垂直晶體管的方法，包括：

在第二導電類型基片(303)內形成第一導電類型區(304)；

在第一導電類型區(304)的周圍形成深槽隔離(DTI)區(311)；

在第一導電類型區(304)的上方通過形成至少一個基極層、一個發射極區、和一個集電極區來形成至少兩個發射極條(301)，

其中所述的至少兩個發射極條(301)共用一個共同DTI區域(311)和單基極多晶硅。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述垂直晶體管使用NPN或PNP雙極工藝流程形成。

6.如權利要求4所述的方法，其中所述垂直晶體管使用NPN或PNP雙極互補金屬氧化物(BiCMOS)工藝流程形成。

7.如權利要求4所述的方法，其中所述晶體管被形成為與多個集成方案兼容。

8.如權利要求7所述的方法，其中多個集成方案選自于包括雙層多晶硅、選擇性外延、非選擇性外延、或者凸起外基極區結構的一組方案。

9.如權利要求4所述，其中所述至少兩個發射極條沿一條線形成。