[發明專利]蝕刻形貌控制

有效

• 申請號: 200680018829.8
• 申請日: 2006-03-07
• 公開（公告）號: CN101185157A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 卡梅利婭·魯蘇;黃志松;穆昆德·斯里尼瓦桑;埃里克·A·赫德森;阿龍·埃普勒
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;尚志峰

1.一種用于蝕刻位于基片上且置于光刻膠掩模下的介電層的方法，包括：

將所述基片置于等離子體處理室中；

將包括O₂和硫成分氣體的蝕刻劑氣體提供到所述等離子體室中，所述硫成分氣體包括H₂S和含有至少一個碳硫鍵的化合物中的至少一種；

從所述蝕刻劑氣體形成等離子體；以及

利用來自于所述蝕刻劑氣體的所述等離子體，穿過所述光刻膠掩模將特征蝕刻到所述蝕刻層中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻劑氣體具有蝕刻劑氣體流量，并且所述硫成分氣體具有硫成分流量，其中，所述硫成分流量為所述蝕刻劑氣體流量的0.1％到10％。

3.根據權利要求1-2中任一項所述的方法，其中，所述硫成分氣體包括H₂S、COS和CS₂中的至少一種。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述介電層為硅氧化物基介電層，并且所述蝕刻劑氣體進一步包括氟成分。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述氟成分為氫氟烴和碳氟化合物中的至少一種。

6.根據權利要求4-5中任一項所述的方法，其中，所述硅氧化物基介電層為有機硅酸鹽玻璃。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中，硫成分氣體被脈沖調制。

8.一種用于在介電層形成特征的裝置，其中，所述介電層由基片支撐，并且其中，所述蝕刻層由光刻膠掩模覆蓋，包括：等離子體處理室，包括：

形成等離子體處理室罩的室壁；

用于在所述等離子體處理室罩中支撐基片的基片支撐件；

用于調節所述等離子體處理室罩中壓力的壓力調節器；

用于提供電力到所述等離子體處理室罩以維持等離子體的至少一個電極；

用于將氣體提供到所述等離子體處理室罩中的氣體入口；以及

用于從所述等離子體處理室罩排放氣體的氣體出口；與所述氣體入口流體連接的氣體源，包括：

用于提供H₂S和含有至少一個碳硫鍵的化合物中至少一種的硫成分氣體源；以及

O₂源；

可控地連接到所述氣體源以及所述至少一個電極的控制器，包括：

至少一個處理器；以及

計算機可讀介質，包括：

用于將包括O₂和硫成分氣體的蝕刻劑氣體提供到所述等離子體室中的計算機可讀代碼，其中，所述硫成分氣體包括H₂S和含有至少一個碳硫鍵的化合物中的至少一種；

用于從所述蝕刻劑氣體形成等離子體的計算機可讀代碼；以及

用于提供等離子體條件以導致利用來自于所述蝕刻劑氣體的所述等離子體，穿過所述光刻膠掩模，將特征蝕刻到所述介電層中的計算機可讀代碼。

9.根據權利要求8所述的裝置，其中，所述用于將包括O₂以及硫成分氣體的蝕刻劑氣體提供到所述等離子體室中的計算機可讀代碼，包括以一定的流率提供所述蝕刻劑氣體以及以一定的流率提供所述硫成分氣體、并且將所述硫成分氣體流率保持在所述蝕刻劑氣體流率的0.1％到10％之間的計算機可讀代碼。

10.根據權利要求8-9中任一項所述的裝置，其中，所述硫成分氣體包括H₂S、COS和CS₂中的至少一種。

11.根據權利要求8-10中任一項所述的裝置，其中，所述介電層為硅氧化物基介電層，并且其中，用于將包括O₂以及硫成分氣體的蝕刻劑氣體提供到所述等離子體室中的計算機可讀代碼進一步提供氟成分。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中，所述氟成分為氫氟烴和碳氫化合物中的至少一種。