[發(fā)明專利]包括超晶格的微型機電系統(tǒng)(MEMS)器件及相關(guān)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680018816.0 | 申請日： | 2006-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN101258100A | 公開（公告）日： | 2008-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 理查德·A·布蘭查德 | 申請（專利權(quán)）人： | 梅爾斯科技公司 |
| 主分類號： | B81B3/00 | 分類號： | B81B3/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 包括 晶格 微型 機電 系統(tǒng) mems 器件 相關(guān) 方法 | ||
1、一種微型機電系統(tǒng)(MEMS)器件，包括
襯底；和
由所述襯底支撐的至少一個移動元件，所述移動元件包含有包括多個堆疊的層組的超晶格，所述超晶格的每個層組包括多個堆疊的基本半導(dǎo)體單層和至少一個非半導(dǎo)體單層，其中所述基本半導(dǎo)體單層限定了基本半導(dǎo)體部分，所述非半導(dǎo)體單層限制在相鄰基本半導(dǎo)體部分的晶格內(nèi)。
2、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述超晶格包括壓電超晶格。
3、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，還包括由所述襯底支撐的用來驅(qū)動所述至少一個移動元件的驅(qū)動器。
4、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，還包括由所述至少一個移動元件支撐的第一導(dǎo)電接觸件，和由所述襯底支撐的且與所述第一導(dǎo)電接觸件對準(zhǔn)的第二導(dǎo)電接觸件。
5、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，還包括與所述第一導(dǎo)電接觸件連接的第一射頻(RF)信號線，和與所述第二導(dǎo)電接觸件連接的第二RF信號線。
6、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，還包括一對偏壓接觸件，用于將偏壓施加到所述超晶格上以移動所述至少一個移動元件。
7、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中部分所述超晶格與所述襯底相間隔。
8、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，還包括由所述襯底支撐的電介質(zhì)錨，其中所述至少一個移動元件由所述電介質(zhì)錨支撐。
9、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述基本半導(dǎo)體包括硅。
10、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述至少一個非半導(dǎo)體單層包括氧。
11、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述至少一個非半導(dǎo)體單層包括選自主要由氧、氮、氟和碳-氧構(gòu)成的組中的非半導(dǎo)體。
12、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述至少一個非半導(dǎo)體單層是一個單層厚度。
13、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所有所述基本半導(dǎo)體部分都是相同數(shù)量單層的厚度。
14、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中所述基本半導(dǎo)體部分中至少一些具有不同數(shù)量單層的厚度。
15、如權(quán)利要求1所述的MEMS器件，其中在所述至少一個超晶格的相鄰層組中的相對的基本半導(dǎo)體部分被化學(xué)鍵合在一起。
16、一種用于制造微型機電系統(tǒng)(MEMS)器件的方法，包括如下步驟：
提供襯底；和
形成由所述襯底支撐的至少一個移動元件，所述移動元件包含有包括多個堆疊的層組的超晶格，所述超晶格的每個層組包括多個堆疊的基本半導(dǎo)體單層和至少一個非半導(dǎo)體單層，其中所述基本半導(dǎo)體單層限定了基本半導(dǎo)體部分，所述非半導(dǎo)體單層限制在相鄰基本半導(dǎo)體部分的晶格內(nèi)。
17、如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述超晶格包括壓電超晶格。
18、如權(quán)利要求16所述的方法，還包括如下步驟：提供由所述襯底支撐的用來驅(qū)動所述至少一個移動元件的驅(qū)動器。
19、如權(quán)利要求16所述的方法，還包括如下步驟：形成由所述至少一個移動元件支撐的第一導(dǎo)電接觸件，和形成由所述襯底支撐的且與所述第一導(dǎo)電接觸件對準(zhǔn)的第二導(dǎo)電接觸件。
20、如權(quán)利要求16所述的方法，還包括如下步驟：形成與所述第一導(dǎo)電接觸件連接的第一射頻(RF)信號線，和形成與所述第二導(dǎo)電接觸件連接的第二RF信號線。
21、如權(quán)利要求16所述的方法，還包括如下步驟：形成用于將偏壓施加到所述超晶格上以移動所述至少一個移動元件的一對偏壓接觸件。
22、如權(quán)利要求16所述的方法，其中部分所述超晶格與所述襯底相間隔。
23、如權(quán)利要求16所述的方法，還包括如下步驟：形成由所述襯底支撐的電介質(zhì)錨，其中所述至少一個移動元件由所述電介質(zhì)錨支撐。
24、如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述基本半導(dǎo)體包括硅；并且所述至少一個非半導(dǎo)體單層包括氧。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于梅爾斯科技公司，未經(jīng)梅爾斯科技公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680018816.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
