[發明專利]磁記錄介質及其制造方法以及磁記錄和再現裝置

無效

• 申請號: 200680018703.0
• 申請日: 2006-07-28
• 公開（公告）號: CN101185128A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 大澤弘;清水謙治
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/66
• 分類號: G11B5/66;G11B5/738;G11B5/851
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 楊曉光;李崢

1.一種磁記錄介質，包含非磁性襯底；并且在該襯底上，按照以下順序至少提供了非磁性基底層、非磁性中間層、磁性層和保護層，其特征在于，構成該非磁性基底層的至少一個層是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)構成的。

2.一種磁記錄介質，包含非磁性襯底；并且在該襯底上，按照以下順序至少提供了非磁性基底層、非磁性中間層、穩定層、非磁性耦合層、磁性層和保護層，并且該穩定層與該磁性層反鐵磁性耦合，其特征在于，構成該非磁性基底層的至少一個層是由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)構成的。

3.根據權利要求1或2所述的磁記錄介質，其中構成該非磁性中間層的至少一個層是由Ru或者RuY的合金(Y＝Ti、Nb、Mo、Rh、Ta、W、Re、Ir或者Pt)構成的。

4.根據權利要求1到3中任一項所述的磁記錄介質，其中該基于WX的合金具有50到99at％的W含量以及1到50at％的X含量。

5.根據權利要求1到3中任一項所述的磁記錄介質，其中該基于MoX的合金具有50到99at％的Mo含量以及1到50at％的X含量。

6.根據權利要求3所述的磁記錄介質，其中該基于RuY的合金具有20到99at％的Ru含量以及1到80at％的X含量。

7.根據權利要求2到6中任一項所述的磁記錄介質，其中該非磁性耦合層是由從Ru、Rh、Ir、Cr、Re、基于Ru的合金、基于Rh的合金、基于Ir的合金、基于Cr的合金以及基于Re的合金中選出的任意一種形成的，并且該非磁性耦合層具有0.5到1.5nm的厚度。

8.根據權利要求2到7中任一項所述的磁記錄介質，其中該穩定層是由從基于CoCrZr的合金、基于CoCrTa的合金、基于CoRu的合金、基于CoCrRu的合金、基于CoCrPtZr的合金、基于CoCrPtTa的合金、基于CoPtRu的合金以及基于CoCrPtRu的合金中選出的一種或多種形成的。

9.根據權利要求1到8中任一項所述的磁記錄介質，其中該非磁性基底層具有多層結構，該多層結構包括由Cr或者Cr合金形成的層以及由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成的層，該Cr合金包含Cr以及從Ti、Mo、Al、Ta、W、Ni、B、Si、Mn和V中選出的一種或多種。

10.根據權利要求1到9中任一項所述的磁記錄介質，其中該磁性層是由從基于CoCrTa的合金、基于CoCrPtTa的合金、基于CoCrPtB的合金以及基于CoCrPtBM的合金(M：從Ta、Cu和Ag中選出的一種或多種)中選出的一種或多種形成的。

11.根據權利要求1到10中任一項所述的磁記錄介質，其中該非磁性襯底是從玻璃襯底和硅襯底中選出的任意一種。

12.根據權利要求1到10中任一項所述的磁記錄介質，其中該非磁性襯底包括由從Al、Al合金、玻璃和硅中選出的任意一種形成的襯底基底以及在該襯底基底表面上形成的NiP或者NiP合金膜。

13.根據權利要求1到12中任一項所述的磁記錄介質，其中由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成的所述層具有0.5到12nm的厚度。

14.一種用于制造包括非磁性襯底的磁記錄介質的方法，并且在該襯底上，按照以下順序至少提供了非磁性基底層、非磁性中間層、磁性層和保護層，其特征在于，該方法包括由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成構成該非磁性基底層的至少一個層。

15.一種用于制造包括非磁性襯底的磁記錄介質的方法，并且在該襯底上，按照以下順序至少提供了非磁性基底層、穩定層、非磁性耦合層、磁性層和保護層，并且該穩定層與所述磁性層反鐵磁性耦合，其特征在于，該方法包括由基于WX的合金或者基于MoX的合金(X＝Zr、Nb、Hf或者Ta)形成構成該非磁性基底層的至少一個層。

16.一種磁記錄和再現裝置，其特征在于包括根據權利要求1到13中任一項所述的磁記錄介質，以及用于在該介質上記錄數據并且從該介質再現數據的磁頭。