[發明專利]貼合晶片的制造方法有效
| 申請號： | 200680018233.8 | 申請日： | 2006-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN101185154A | 公開（公告）日： | 2008-05-21 |
| 發明（設計）人： | 岡部啟一;宮崎進 | 申請（專利權）人： | 信越半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/306;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人： | 高龍鑫 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 貼合 晶片 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種貼合晶片的制造方法，其在基體晶片和接合晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并通過該氧化膜使基體晶片和接合晶片密接，并在氧化性環境下對其施加熱處理而使其結合后，磨削除去上述接合晶片的外周部至規定厚度，然后通過蝕刻來除去該接合晶片外周部的未結合部，將上述接合晶片薄膜化至需要厚度，其特征是：
上述蝕刻是使用30℃以下的至少含有氫氟酸、硝酸、及乙酸的混酸來進行。
2.如權利要求1所述的貼合晶片的制造方法，其中，上述蝕刻通過旋轉蝕刻來進行。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
