[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體器件的邊緣末端

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680018019.2
• 申請日: 2006-05-22
• 公開（公告）號: CN101180739A
• 公開（公告）日: 2008-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅布·范達倫;馬爾騰·J·斯韋恩伯格
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱進桂

1.一種具有邊緣末端結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體本體(22，28)，具有相對的第一(34)和第二(36)主表面；

半導(dǎo)體本體的有源區(qū)域(30)，限定了至少一種半導(dǎo)體部件；

有源區(qū)域(30)外部的邊緣末端區(qū)域(32)，其中所述邊緣末端區(qū)域(32)包括：

多個橫向間隔的浮置場區(qū)域(46)；

第一主表面(34)上的絕緣層(52)；以及

至少一個場板(54)，在連接點(56)處穿過絕緣層(52)與邊緣末端區(qū)域(32)中的第一主表面(34)相連，并且從所述連接點(56)在多個浮置場區(qū)域(46)上向內(nèi)向有源區(qū)域(30)延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

浮置場區(qū)域(46)是第一主表面(34)處的第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體區(qū)域；

半導(dǎo)體本體的與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的下部區(qū)域(22)位于浮置場區(qū)域(46)下面，下部區(qū)域(22)通過比下部區(qū)域(22)和浮置場區(qū)域(46)更低摻雜的間隔區(qū)域(38)與浮置場區(qū)域(46)隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中低摻雜的間隔區(qū)域(24，38)從邊緣末端區(qū)域(32)延伸到有源區(qū)域(30)中，并且作為有源區(qū)域中的漂移區(qū)域(24)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域(24，38)包括與第二導(dǎo)電類型的區(qū)域(42；92)交替的第一導(dǎo)電類型的區(qū)域(40；90)，第一和第二導(dǎo)電類型的交替區(qū)域(40，42；90，92)均比浮置場區(qū)域(46)和下部區(qū)域(22)的摻雜低。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域(24，38)包括柱子(40)，所述柱子(40)包括垂直地延伸穿過間隔區(qū)域(24，38)至下部區(qū)域(22)的第一導(dǎo)電類型的區(qū)域(50，80)，限定了柱子(40)之間的第二導(dǎo)電類型的區(qū)域(42)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中在邊緣末端區(qū)域中，將柱子(40)設(shè)置在浮置場區(qū)域(46)下面。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域(24，38)包括與第二導(dǎo)電類型的橫向延伸區(qū)域(92)垂直地交替的第一導(dǎo)電類型的橫向延伸區(qū)域(90)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中間隔區(qū)域包括在橫向和垂直兩個方向上與第二導(dǎo)電類型的區(qū)域(42)交替的第一導(dǎo)電類型的多個區(qū)域(98)。

9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中將浮置場區(qū)域(46)設(shè)置為邊緣末端區(qū)域(32)中的第一主表面處的排列為二維陣列的區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中將浮置場區(qū)域(46)設(shè)置為邊緣末端區(qū)域(32)中的第一主表面處的排列為六邊形陣列的區(qū)域。

11.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，包括與有源區(qū)域(30)間隔開的多個場板(54)，限定了相鄰場板之間的至少一個間隙(72)，

其中將相鄰場板之間的所述或每一個間隙(72)設(shè)置在接合區(qū)域(74)上，所述接合區(qū)域(74)是比其他浮置場區(qū)域(46)更大寬度的浮置場區(qū)域(46；74)。

12.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的半導(dǎo)體器件，其中相鄰浮置場區(qū)域(46)之間的間隔在相距有源區(qū)域(30)更大距離處比更靠近有源區(qū)(30)處的邊緣區(qū)域(32)中更大。