[發明專利]場效應晶體管無效
| 申請號： | 200680017271.1 | 申請日： | 2006-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN101180735A | 公開（公告）日： | 2008-05-14 |
| 發明（設計）人： | K·沃格特萊恩德;J·杜爾;U·沃斯特拉多維斯基;A·查鮑德 | 申請（專利權）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/51 | 分類號： | H01L29/51;H01L29/78;H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 盧江;劉春元 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 場效應 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有源極、漏極和柵極的場效應晶體管，其特征在于，該場效應晶體管在柵極和源極之間或者在柵極和漏極之間或者在柵極和基底之間具有引導漏電流的連接。
2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，引導漏電流的連接是二氧化硅層，在該二氧化硅層中為了形成高歐姆電流路徑而植入離子(圖1)。
3.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，引導漏電流的連接具有高歐姆電阻(R)(圖2)。
4.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，引導漏電流的連接是肖特基二極管(圖3)。
5.根據權利要求4所述的場效應晶體管，其特征在于，在柵極(G)和源極(S)之間存在P硅塊。
6.根據權利要求5所述的場效應晶體管，其特征在于，所述P硅塊的P摻雜隨著與柵極之間的距離增大而增長。
7.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其特征在于，所述P硅塊的P摻雜隨著與柵極之間的距離增大而線性增長。
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