[發明專利]用于紅外輻射元件的反射器

無效

• 申請號: 200680015807.6
• 申請日: 2006-05-08
• 公開（公告）號: CN101248704A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: R·格勒嫩;H·利芬斯
• 申請（專利權）人: 貝卡爾特股份有限公司
• 主分類號: H05B3/00
• 分類號: H05B3/00;G02B5/08;C23C14/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 付建軍

技術領域

本發明涉及用于紅外輻射元件的反射器。

背景技術

包括反射金屬層例如金層的用于紅外輻射元件的反射器在本領域中是已知的。

這種反射器例如用于紅外線燈或紅外線加熱器。

然而，包括金的反射器的已知的問題是它們的受限制的金層的熱穩定性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能避免現有技術中的問題的用于紅外輻射元件的改善的反射器。

本發明的另一個目的在于提供一種具有改善的熱穩定性的用于紅外輻射元件的反射器，從而該反射器能夠用在高溫下而不降低該反射器的反射率。

根據本發明的一個方面，提供了一種用于紅外輻射元件的反射器。

該反射器包括金屬箔，該金屬箔上覆蓋有：

-沉積在該金屬箔上的第一氧化物層；

-沉積在所述第一氧化物層上的紅外反射金屬層；以及

-沉積在所述紅外反射層上的第二氧化物層。

紅外輻射元件例如可包括紅外線燈或紅外線加熱器。

根據本發明的反射器對波長范圍在1000nm和2000nm之間的全反射優選高于90％或甚至高于95％，例如99％。

金屬箔可包括任何金屬或金屬合金。

優選的金屬箔包括不銹鋼箔。

金屬箔的厚度優選介于0.01和0.50mm之間，例如0.08mm。

第一氧化物層用作擴散阻擋層并阻止紅外反射層的金屬的擴散到基板中。

第二氧化物層用作紅外反射層的保護層，給予該紅外反射層所需的熱穩定性。

該紅外反射層可包括具有反射特性的任何金屬或金屬合金。

優選的紅外反射層包括例如金、鉑、鈀、銠或它們的合金。

金是優選的，因為它的反射特性和它的抗腐蝕性。

優選地，紅外反射層的厚度介于50和600nm之間，例如300nm。

紅外反射層可通過任何本領域已知的技術沉積，例如濺射法、噴涂法如靜電噴涂法、蒸鍍法如熱或電子束蒸鍍法、電鍍法或化學氣相沉積如等離子體增強化學氣相沉積。

沉積紅外反射層的優選技術是通過濺射法。

第一氧化物層可包括任何金屬氧化物。優選的金屬氧化物包括氧化鈰、氧化鋁、氧化鈹、氧化鉻、氧化鉿、氧化鎂、氧化釷、氧化釔、氧化錳、氧化硅、氧化鋅或氧化鋯或它們的組合。

最優選的氧化物是氧化鈰和氧化釔。

優選地，第一氧化物層的厚度介于50和500nm之間，例如100nm或300nm。

第二氧化物層可包括任何金屬氧化物。優選的金屬氧化物包括氧化鈰、氧化鋁、氧化鈹、氧化鉻、氧化鉿、氧化鎂、氧化釷、氧化釔、氧化錳、氧化硅、氧化鋅或氧化鋯。

最優選的氧化物是氧化鈰和氧化釔。

優選地，第二氧化物層的厚度介于1和100nm之間，例如5nm、10nm或30nm。

第一氧化物層可包括與第二氧化物層相同的氧化物或可包括不同的氧化物。

第一和第二氧化物層可通過任何本領域已知的技術沉積，例如濺射法如反應濺射法、通過浸漬涂布處理如溶膠凝膠沉積、通過化學氣相沉積如熱解化學氣相沉積或燃燒化學氣相沉積、或通過蒸鍍法如反應電子束蒸鍍或反應熱蒸鍍。

沉積第一和第二氧化物層的優選技術是反應濺射法。

根據本發明的第二方面，提供一種與熱處理之前的全反射相比能把熱處理之后的紅外輻射元件的紅外反射層對波長范圍為1000至2000nm的全反射的損耗降低到少于15％的方法。

該方法包括以下步驟：

-提供金屬箔；

-在金屬箔上沉積第一氧化物層；

-在第一氧化物層上沉積紅外反射金屬層；以及

-在紅外反射層上沉積第二氧化物層。

更優選地，熱處理之后的對波長范圍為1000至2000nm的全反射的損耗低于10％或低于5％。

為了本發明的目的，該熱處理包括把反射器暴露在700℃的溫度下加熱72小時。可以理解地，這種熱處理構成了苛刻的試驗，因為紅外輻射元件的工作條件通常大約為250℃和300℃。

附圖說明

下面將參照附圖更詳細地描述本發明，其中

-圖1是根據本發明的反射器的示意圖。

具體實施方式

通過圖1中示意性示出的例子來描述本發明。

反射器10包括厚度為0.08mm的不銹鋼箔12。