[發明專利]可應用于高頻的功率金氧半場效晶體管組件結構

有效

• 申請號: 200680015767.5
• 申請日: 2006-05-09
• 公開（公告）號: CN101542738A
• 公開（公告）日: 2009-09-23
• 發明（設計）人: 安荷·叭剌
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/76
• 分類號: H01L29/76;H01L29/94;H01L31/062;H01L31/113;H01L31/119
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

1.一種金氧半場效晶體管胞，其形成于一半導體基板上，其特征在于，該金氧 半場效晶體管胞包括：

一分離式絕緣柵極電極，其形成于該半導體基板的頂部表面并延伸覆蓋至 該半導體基板的一磊晶區域，所述磊晶區域的周圍被該金氧半場效晶體管胞之 一基底區域環繞；以及

一源極電極，其插設于該分離式絕緣柵極電極間并且形成在該磊晶層上， 該源極電極可避免該柵極電極與該磊晶層產生電場耦合效應。

2.如權利要求1所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該源極電極更 延伸至該分離式絕緣柵極以與該基底區域中之一源極區域進行連接。

3.如權利要求1所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該半導體基板 更包括一漏極區域，其形成于該磊晶區域的下方，且該漏極區域具有與該磊晶 區域不同的摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該分離式絕緣 柵極更包括一絕緣層，其用以隔絕該分離式絕緣柵極電極與該源極電極，且該 絕緣層的厚度決定于該金氧半場效晶體管胞的最大電壓值。

5.如權利要求1所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該分離式絕緣 柵極電極更包括一絕緣層，其用以隔絕該分離式絕緣柵極電極與該源極電極， 且圍繞于該分離式絕緣柵極電極外圍的該絕緣層厚度較厚，以使進行接觸窗開 口蝕刻時具有較高的對準公差值。

6.如權利要求5所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該金氧半場效 晶體管胞更包括一形成于一組分離式絕緣柵極電極之間的絕緣層，用以隔絕該 源極電極與磊晶區域，且該分離式絕緣柵極電極之間的絕緣層的厚度與圍繞于 該分離式絕緣柵極電極外圍的絕緣層的厚度相同。

7.如權利要求1所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該金氧半場效 晶體管胞更包括一N型通道金氧半場效晶體管胞。

8.如權利要求1所述的金氧半場效晶體管胞，其特征在于，該金氧半場效 晶體管胞更包括一P型通道金氧半場效晶體管胞。

9.一種垂直功率組件，其特征在于，其形成于一半導體基板，且該半導體 基板具有形成于一第一表面上之一漏極，與鄰近于一第二表面之一源極區域， 該第一表面與該第二表面位于該半導體基板的相反位置，該垂直功率組件包括：

一分離式絕緣柵極電極，其形成于該第二表面的頂部表面，該分離式絕緣 柵極電極可用以控制自源極至漏極的電流；以及

一源極電極，其插設于該分離式絕緣柵極電極中，該源極電極可避免該分 離式絕緣柵極電極與其下方之一磊晶區域產生電場耦合的效應。

10.如權利要求9所述的垂直功率組件，其特征在于，該源極電極更覆蓋于 該分離式絕緣柵極電極上，并延伸至該半導體基板的該第二表面之一面積上， 以使該源極電極與該源極區域連接。

11.如權利要求9所述的垂直功率組件，其特征在于，該半導體基板更包括 一磊晶層，其形成于該漏極區域上，且該磊晶層具有與該漏極區域不同的摻雜 濃度。

12.如權利要求9所述的垂直功率組件，其特征在于，該分離式絕緣柵極更 包括一絕緣層，其用以隔絕該分離式絕緣柵極電極與該源極電極，且該絕緣層 的厚度決定于該垂直功率組件的最大電壓值。

13.如權利要求9所述的垂直功率組件，其特征在于，該絕緣柵極電極更包 括一絕緣層，其用以隔絕該分離式絕緣柵極電極與該源極電極，且圍繞于該分 離式絕緣柵極電極外圍的該絕緣層厚度較厚，以使進行接觸窗開口蝕刻時具有 較高的對準公差值。

14.如權利要求13所述的垂直功率組件，其特征在于，該垂直功率組件更 包括一形成于一組分離式絕緣柵極電極之間的絕緣層，用以隔絕該源極電極與 磊晶區域，且該分離式絕緣柵極電極之間的絕緣層的厚度與圍繞于該分離式絕 緣柵極電極外圍的絕緣層的厚度相同。

15.如權利要求9所述的垂直功率組件，其特征在于，該垂直功率組件更包 括一N型通道金氧半場效晶體管胞。