[發明專利]中子檢測裝置和中子成像傳感器

有效

• 申請號: 200680015600.9
• 申請日: 2006-03-03
• 公開（公告）號: CN101171530A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 佐藤和朗;四谷任;石田武和;三木茂人
• 申請（專利權）人: 獨立行政法人科學技術振興機構;公立大學法人大阪府立大學
• 主分類號: G01T3/04
• 分類號: G01T3/04;H01L39/00;G01T1/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 浦柏明;王忠忠

1.一種中子檢測裝置，其中，具備多個中子檢測元件部，

該中子檢測元件部具有：

超導元件，其具有至少一個表面由電介質材料形成的基體材料、在上述表面上形成的超導材料的帶狀線、以及在上述帶狀線的兩端部分形成的電極部；

電阻測定單元，利用上述帶狀線的電阻值的變化來測定因上述帶狀線中的超導元素與中子的核反應引起的發熱；以及

散熱設定單元，在與形成有上述帶狀線的上述表面相反一側的上述基體材料的背面部，設定因上述核反應引起的發熱的散熱性，

在上述中子檢測元件部之間，使上述散熱性不同。

2.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

上述多個中子檢測元件部設置在同一上述基體材料上。

3.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

具備3個以上的上述中子檢測元件部，在上述中子檢測元件部之間使上述散熱性按3個以上的等級呈現不同。

4.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

通過上述基體材料的上述背面部的厚度的設定，來構成上述散熱設定單元。

5.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

在上述中子檢測元件部之間上述基體材料的上述背面部的厚度互不相同。

6.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

上述電阻測定單元對上述多個中子檢測元件部的各元件部獨立測定電阻值。

7.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

上述多個中子檢測元件部中的一部分是使由上述散熱設定單元得到的上述散熱性比其它的上述中子檢測元件部優良并使時間分辨能力提高的分辨能力優先型的中子檢測元件部。

8.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

上述多個中子檢測元件部中的一部分是使由上述散熱設定單元得到的上述散熱性比其它的上述中子檢測元件部差并使靈敏度提高的靈敏度優先型的中子檢測元件部。

9.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

上述超導材料包含MgB₂，構成為上述帶狀線中的¹⁰B與中子發生核反應。

10.如權利要求1所述的中子檢測裝置，其中，

上述帶狀線被成為曲折形狀。

11.一種中子成像傳感器，其中，

將多個根據權利要求1～10任一項所述的中子檢測元件部排列配置成陣列狀。