[發明專利]氮化物系半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200680015180.4
• 申請日: 2006-04-26
• 公開（公告）號: CN101189733A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 成川幸男;三谷友次;市川將嗣;北野彰;三崎貴生
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

1.一種氮化物系半導體元件，其在Si基板上具有氮化物半導體層，此氮化物系半導體元件的特征在于，

所述Si基板的至少一部分及所述氮化物半導體層包含于主動區域，

所述Si基板的主動區域的導電型為p型。

2.一種氮化物系半導體元件，其在Si基板上具有氮化物半導體層，此氮化物系半導體元件的特征在于，

所述Si基板的至少一部分及所述氮化物半導體層包含于主動區域，

所述Si基板的主動區域的多數載體為空穴。

3.如權利要求1或2所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

所述Si基板的主動區域的空穴濃度為約1×10¹⁸cm^-3以上、約1×10²¹cm^-3以下。

4.如權利要求1至3中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，所述Si基板的主動區域的雜質濃度為約1×10¹⁸cm^-3以上、約1×10²²cm^-3以下。

5.如權利要求1至4中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，所述Si基板的主動區域的電阻率約為0.05Ωcm以下。

6.如權利要求1至5中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，所述氮化物半導體層從所述Si基板側起依次具有n型氮化物半導體層及p型氮化物半導體層，所述n型氮化物半導體層與所述Si基板的主動區域相鄰接。

7.如權利要求6所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

所述n型氮化物半導體層的至少最靠近所述Si基板的一側為n型GaN層。

8.如權利要求6或7所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，與所述Si基板的主動區域鄰接的n型氮化物半導體層的電子濃度為約1×10¹⁷cm^-3以上、約1×10²¹cm^-3以下。

9.如權利要求6至8中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，與所述Si基板的主動區域鄰接的n型氮化物半導體層的n型雜質濃度為約1×10¹⁷cm^-3以上、約1×10²²cm^-3以下。

10.如權利要求1至9中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，所述Si基板與所述氮化物半導體層的界面以使載體可利用隧道效應而通過的方式相鄰接。

11.如權利要求1至10中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

所述Si基板與所述氮化物半導體層經縮退而形成。

12.如權利要求1至11中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

所述Si基板與所述氮化物半導體層的界面上的I-V特性呈大致線形。

13.一種氮化物系半導體元件，其是權利要求1至12中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

所述氮化物半導體層包含可發光或可受光的活性層。

14.一種氮化物系半導體元件，其是權利要求1至13中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

具有正電極和負電極，

所述正電極是與所述氮化物半導體層中包含的p型氮化物半導體層相鄰接，

所述負電極是與所述Si基板相鄰接。

15.如權利要求14所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

所述正電極與所述負電極設在相對的面上。

16.一種氮化物系半導體元件，其是權利要求1至13中任一權利要求所述的氮化物系半導體元件，其特征在于，

具有正電極和負電極，

所述正電極是與所述氮化物半導體層中包含的p型氮化物半導體層相鄰接，

所述負電極是與所述氮化物半導體層中包含的n型氮化物半導體層相鄰接。