[發明專利]光記錄介質、濺射靶和偶氮金屬螯合物染料

無效

• 申請號: 200680014810.6
• 申請日: 2006-04-28
• 公開（公告）號: CN101171634A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 內田直幸;星野博幸;古村充史;國府田直樹;今川明彥
• 申請（專利權）人: 三菱化學媒體股份有限公司;古屋金屬株式會社
• 主分類號: G11B7/244
• 分類號: G11B7/244;G11B7/243;B41M5/26;G11B7/258;G11B7/24
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 丁香蘭;李建忠

1.一種光記錄介質，該光記錄介質在具有同心圓狀或螺旋狀的槽的基板上具有至少由有機染料構成的記錄層和含有金屬的反射層，最短標記長小于0.4μm，或者以35.0m/s以上的記錄線速度進行記錄，所述光記錄介質的特征在于，

所述基板上的導向槽的軌道間距為0.8μm以下，槽寬為0.4μm以下，槽內的記錄層膜厚為70nm以下，

在ISO-105-B02給出的光照射條件的Wool?scale?5級(耐光性試驗)中，形成所述記錄層的所述有機染料單層的下述定義的染料保持率為70％以下，

在300nm～500nm的波長范圍內，所述反射層在空氣中的反射率R對波長λ的微分值dR/dλ(％/nm)為3以下，

所述染料保持率的定義為：在300nm～800nm的波長范圍內，在形成所述記錄層的有機染料單層的涂布膜的最大吸收波長處，所述耐光性試驗前后的吸光度的比例，即，{(試驗后吸光度)/(試驗前吸光度)}×100(％)。

2.如權利要求1所述的光記錄介質，其特征在于，所述反射層含有選自Cu、Au和Al中的至少1種元素，且所述元素的合計的比例在所述反射層中為50原子％以上。

3.如權利要求1或2所述的光記錄介質，其特征在于，在波長300nm～500nm處，所述反射層在空氣中的反射率為20％～70％。

4.如權利要求1～3的任一項所述的光記錄介質，其特征在于，所述記錄層至少含有由下述通式(1)表示的偶氮系化合物和Zn的金屬離子構成的偶氮金屬螯合物染料作為有機染料，

(1)

在通式(1)中，

R¹表示氫原子或以CO₂R³表示的酯基，在此，R³表示直鏈或支鏈的烷基或者環烷基，

R²表示直鏈或支鏈的烷基，

X¹和X²之中至少任意一個表示NHSO₂Y基，在此，Y表示具有至少2個氟原子取代基的直鏈或支鏈的烷基，同時X¹和X²之中的另一個基團表示氫原子，

R⁴和R⁵各自獨立地表示氫原子、直鏈或支鏈的烷基或者直鏈或支鏈的烷氧基，

R⁶、R⁷、R⁸和R⁹各自獨立地表示氫原子或碳原子數為1或2的烷基，

此外，H⁺從所述NHSO₂Y基脫離，形成NSO₂Y^-陰性基，從而所述通式(1)表示的偶氮系化合物與金屬離子形成配位鍵。

5.如權利要求1～4的任一項所述的光記錄介質，其特征在于，所述記錄層至少含有下述通式(2)表示的花青系染料作為有機染料，

(2)

通式(2)中，

環A和環B各自獨立地表示可以具有取代基的苯環或萘環，

R¹⁰和R¹¹各自獨立地表示可以具有取代基的碳原子數為1～5的烷基，

R¹²、R¹³、R¹⁴和R¹⁵各自獨立地表示可以具有取代基的碳原子數為1～5的烷基，

R¹⁶表示氫原子、鹵原子、氰基或者可以具有取代基的碳原子數為1～5的烷基，

Q^-表示抗衡陰離子。