[發明專利]處理室的高效UV清潔

無效

• 申請號: 200680014799.3
• 申請日: 2006-04-18
• 公開（公告）號: CN101171367A
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發明（設計）人: 托馬斯·諾瓦克;均·卡洛斯·若徹－阿勒圭瑞;安德則耶·卡祖巴;斯科特·A·亨德里克森;達斯廷·W·霍;薩恩吉夫·巴盧哈;湯姆·周;約瑟芬尼·常;海澈姆·穆薩德
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;B08B7/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 趙飛

1.一種對半導體處理室進行清潔的方法，包括：

提供限定了處理區域的紫外室；

從所述處理區域的遠程產生臭氧；

將所述臭氧引入所述處理區域；和

對所述處理區域內的表面進行加熱，以使所述臭氧中至少一些分解為氧基和原子氧。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括從所述處理室排出污染物，其中，所述污染物是由所述氧基和所述臭氧與所述處理室內的殘余物反應產生的。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，產生所述臭氧的步驟包括用紫外燈使氧活化。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，產生所述臭氧的步驟包括用紫外燈陣列使氧活化。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，產生所述臭氧是通過介質阻擋放電/電暈放電來實現的。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，產生所述臭氧的步驟在氧中產生約13.0重量百分比的臭氧。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，引入所述臭氧的步驟包括將氧中約13.0重量百分比的臭氧以每分鐘約5.0標準升引入所述處理區域。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，加熱所述表面的步驟包括使所述處理區域內的襯底底座溫度升高。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，加熱所述表面的步驟包括使所述處理區域內的襯底底座溫度升高到約100℃至約600℃之間。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，加熱所述表面的步驟包括使所述處理區域內的襯底底座溫度升高到約400℃。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述處理區域內產生約8Torr的真空。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括通過用紫外燈使氧活化來在所述處理區域內額外地產生臭氧。

13.根據權利要求1所述的方法，還包括將氧基引入所述處理室中，其中，所述氧基是從所述處理室的遠程產生的。

14.一種對半導體處理室進行清潔的系統，包括：

紫外處理室，限定了處理區域；

臭氧產生源，位于所述處理區域的遠程；

氣體供應器，將所述臭氧產生源耦合到所述處理區域；和

受熱表面，位于所述處理區域內，被構造和布置成使所述臭氧中至少一些分解成氧基和原子氧。

15.根據權利要求14所述的系統，其中，所述臭氧產生源包括紫外燈。

16.根據權利要求14所述的系統，其中，所述臭氧產生源包括紫外燈陣列。

17.根據權利要求14所述的系統，其中，所述臭氧產生源基于介質阻擋放電/電暈放電。

18.根據權利要求14所述的系統，其中，所述臭氧產生源設置成在氧氣中產生約13.0重量百分比的臭氧。

19.根據權利要求14所述的系統，其中，所述受熱表面包括所述處理區域內的襯底底座。

20.根據權利要求14所述的系統，還包括所述處理室的紫外燈，所述紫外燈能夠發射波長，所述波長被選擇為通過使氧氣活化而在所述處理區域內產生臭氧。