[發(fā)明專利]光譜CT的檢測器陣列

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680014366.8
• 申請日: 2006-04-06
• 公開（公告）號: CN101166997A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設計）人: S·萊文;O·沙皮羅;A·阿爾特曼;N·韋納
• 申請（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G01T1/20
• 分類號: G01T1/20;G01T1/202;G01T1/29
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 龔海軍;譚祐祥

1.一種輻射檢測器(24)，包括：

上部閃爍體(30_T)，其設置在面對x射線源(14)的位置來接收輻射，將低能量輻射轉(zhuǎn)換成光并透射高能量輻射；

第一光電檢測器(38_T)，光學耦合至上部閃爍體(30_T)來接收上部閃爍體(30_T)發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號；

光學元件(100)，光學耦合至上部閃爍體(30_T)和第一光電檢測器(38_T)，來收集并引導從上部閃爍體(30_T)發(fā)出的光進入第一光電檢測器(38_T)；

下部閃爍體(30_B)，其設置在遠離x射線源(14)的位置來將透射的高能量輻射轉(zhuǎn)換成光；以及

第二光電檢測器(38_B)，光學耦合至下部閃爍體(30_B)來接收下部閃爍體(30_B)發(fā)出的光并將其轉(zhuǎn)換成電信號。

2.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，其中第一和第二光電檢測器(38_T、38_B)相鄰垂直地設置在層狀閃爍體(30_T、30_B)的內(nèi)側(cè)(60)上。

3.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，其中上部閃爍體(30_T)具有厚度(h2)，第一光電檢測器(38_T)具有其高度(h1)基本大于上部閃爍體厚度(h2)的活性區(qū)域(94)。

4.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，其中上部和下部閃爍體(30_T、30_B)由釓氧硫化物(GOS)制成。

5.如權(quán)利要求4所述的輻射檢測器，其中上部閃爍體厚度(h2)等于大約0.1mm，第一光電檢測器活性區(qū)域(94)的高度(h4)至少是0.65mm。

6.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，其中光學元件(100)是透明的低Z材料。

7.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，其中光學元件(100)包括下列至少之一：

PMMA(PERSPEX，有機玻璃)、

環(huán)氧樹脂鑄型、

PET聚乙烯對苯二酸鹽、

聚碳酸酯(Lexan)、

聚苯乙烯、

YAG和

ZnSe。

8.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，還包括：

反射涂層(80)，設置在光學元件(100)的表面上不接觸上部閃爍體的地方以及設置在閃爍體(30_T、30_B)除了與光電檢測器(38_T、38_B)的光敏區(qū)域相鄰的表面(60)之外的全部側(cè)面上。

9.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，其中上部閃爍體(30_T)包括硒化鋅和釔鋁石榴石中的一種，以及下部閃爍體(30_B)包括釓氧硫化物。

10.如權(quán)利要求1所述的輻射檢測器，還包括：

設置在上部和下部閃爍層(30_T、30_B)之間的連續(xù)層內(nèi)的一個或多個中間閃爍體(30₁、30₂……30_n)，其中每個連續(xù)的中間閃爍體接收由更靠近x射線源(14)的閃爍體透射的輻射，并將較低能量的輻射轉(zhuǎn)換成光并透射較高能量的輻射。