[發明專利]微流控結構及其制造方法

無效

• 申請號: 200680014269.9
• 申請日: 2006-04-25
• 公開（公告）號: CN101166570A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發明（設計）人: G·R·格林;C·D·布蘭徹爾
• 申請（專利權）人: 阿維扎技術有限公司
• 主分類號: B01J19/00
• 分類號: B01J19/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 范莉

1.一種具有物理各異層的微流控結構，包括：包含有源流控器件的第一層；包含至少一個互連通道的第二層，所述互連通道用于將所述器件連接至流體源和/或出口和/或另一器件；和用于限定至少一個通孔的中間層，所述通孔在所述器件和所述互連通道之間限定流體通路，其特征在于：穿過所述器件的流路與互連通道大體平行。

2.如權利要求1所述的結構，還包括在第一層中的多個器件和在中間層中的相應的多個通孔。

3.如權利要求1或2所述的結構，包括穿過所述互連通道的流道，所述流道用于將所述通道連接至其它通道和/或流體源和/或流體出口。

4.如前述權利要求中任一項所述的結構，其中所述第一和第二層由聚合物形成。

5.如權利要求4所述的結構，其中所述聚合物為氟化聚合物。

6.如前述權利要求中任一項所述的結構，其中所述第一和第二層中的至少一層包括迷宮式結構，以使得能夠局部加熱或冷卻流經所述結構的工作流體。

7.如權利要求6所述的結構，其中所述迷宮式結構在互連通道的一部分內形成。

8.如前述權利要求中任一項所述的結構，其中所述器件和/或互連通道限定深度基本恒定的流路。

9.一種微流控系統，包括如前述權利要求中任一項所述的結構的堆疊。

10.如權利要求9所述的系統，包括平面元件的堆疊，所述平面元件具有各自的相對的面，在它的一個面內具有至少一個互連通道，在它的另一個面內具有至少一個器件，所述元件通過位于它們之間的中間層被堆疊，以形成所述結構的堆疊。

11.如權利要求9所述的系統，包括平面元件的堆疊，所述平面元件具有相對的面，其中第一組元件具有在它們的每個面內形成的至少一個器件，第二組元件具有在它的每個面內形成的至少一個互連通道，來自每個組的所述元件與它們之間的中間層交替堆疊，以形成所述結構的堆疊。

12.一種微流控元件，其具有帶有相對的面的平面體，并且具有在其各自面內形成的形成物的如下一種組合，其特征在于：一個面具有至少一個互連通道，另一個面具有至少一個有源器件。

13.一種微流控裝置，包括包含多個如權利要求1至9中任一項所述結構的管筒。

14.如權利要求13所述的裝置，其中所述結構形成如權利要求9、10或11所述的系統。

15.一種形成微流控元件的方法，所述微流控元件具有相對的面，所述相對的面包括在基底的每個相對的面內的形成物，其特征在于：一個面具有至少一個互連通道，另一個面具有至少一個有源器件。

16.如權利要求15所述的方法，其中最初通過在其每個相對的面上具有金屬層的中心可蝕刻聚合物層來形成所述基底。

17.如權利要求16所述的方法，對所述金屬層中的第一層進行圖案化以形成硬掩模，并且蝕穿該相應的面。

18.如權利要求17所述的方法，其中翻轉所述基底，對第二金屬層圖案化，并且蝕穿該第二金屬層。

19.如權利要求18所述的方法，其中在蝕刻之后移除所述金屬層。

20.如權利要求19所述的方法，其中保留第一金屬層直到完成蝕穿第二金屬層，以在兩個蝕刻步驟期間允許基底的靜電箝位。

21.如前述權利要求中任一項所述的方法，其中在單個蝕刻步驟中形成任意形成物。

22.如權利要求15至20中任一項所述的方法，還包括在形成至少一個互連通道時鉆出穿過所述至少一個互連通道的流道。

23.如權利要求15至22中任一項所述的方法，其中所述基底包括中心止蝕層。

24.如權利要求23所述的方法，其中所述止蝕層為金屬。

25.如權利要求15至24中任一項所述的方法，其中所述基底由氟化聚合物形成。