[發明專利]用于向基片施加均勻薄液層的設備和方法

無效

• 申請號: 200680013599.6
• 申請日: 2006-03-28
• 公開（公告）號: CN101164139A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: 克里斯蒂安·布赫納;約翰·布魯納;赫爾穆特·卡爾姆巴赫;約瑟夫·真蒂舍爾
• 申請（專利權）人: 施密德技術系統有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 張文;段斌

1.一種設備(10)，用于向尤其是光電應用的硅電池的基片(12)上施加均勻薄液層尤其是磷酸層，其具有：處理腔(14)，所述處理腔(14)配置有液體盤(16)和把液體轉變成液霧(15)的高頻超聲設備(11)；以及用于所述基片(12)的傳送設備(13)，所述傳送設備(13)設置在所述處理腔(14)的液霧落降通道(25)下面；其特征在于，所述處理腔(14)的所述液霧落降通道(25)的內截面朝著所述傳送設備(13)的方向漸縮并排放到覆蓋在所述傳送設備(13)上的用于所述基片(12)的通道裝置(40)中，并且所述液霧落降通道(25)的孔端的內截面和所述通道裝置(40)的內截面相配并優選為基本相同。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，所述液霧落降通道(25)沿所述通道裝置(40)的方向是楔形的。

3.如權利要求1或2所述的設備，其特征在于，在所述通道裝置(40)上沿著通路方向(A)在所述落降通道(25)的孔的下游，設置有連接到液體盤(16)的返回通道(52)，所述返回通道(52)的遠離所述孔的尾端連接到液體罐(19)。

4.如權利要求1至3中至少一項所述的設備，其特征在于，在所述高頻超聲設備(11)上方區域內設置有連接到第一調節設備(32)的空氣供給管(31)。

5.如前述權利要求中至少一項所述的設備，其特征在于，所述通道裝置(40)的端頭配置有連接到第二調節設備(47)的排氣通道(46)。

6.如權利要求5所述的設備，其特征在于，在所述通道裝置(40)與所述排氣通道(46)之間設置帶有層流箱(45)的抽氣箱(43)，所述抽氣箱(43)連接于抽風機(48)。

7.如前述權利要求中至少一項所述的設備，其特征在于，用于所述霧從所述處理腔(14)移動通過所述通道裝置(40)移動速度的第一和第二調節設備(32、47)與用于所述基片(12)的傳送設備(13)的速度相配，優選為同步。

8.如前述權利要求中至少一項所述的設備，其特征在于，在所述處理腔(14)內的所述高頻超聲設備(11)和所述液體盤(16)的上方配置有具有網(30)的撞擊元件(28)，所述網(30)優選為塑料網。

9.如權利要求8所述的設備，其特征在于，在所述撞擊元件(28)的自由端與擋件(27)之間具有用于液霧的通路(29)，所述撞擊元件(28)從遠離所述落降通道(25)的處理腔壁(22)開始傾斜，所述擋件(27)設置在所述液體盤(16)遠離所述處理腔壁(22)的一端。

10.如前述權利要求中至少一項所述的設備，其特征在于，所述處理腔(14)的蓋(24)從遠離所述落降通道(25)的所述處理腔壁(22)開始上升地傾斜。

11.如前述權利要求中至少一項所述的設備，其特征在于，所述楔形液霧落降通道(25)在其邊界壁(23、26)上配置有覆蓋網(34)。

12.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述落降通道(25)的邊界壁(23、26)通過流出通道(36、37)終止在所述通道裝置(40)的孔區域。

13.如前述權利要求中至少一項所述的設備，其特征在于，根據所述傳送設備(13)橫過所述通道方向(A)的寬度以及所述處理腔(14)的寬度，設置有多個在此方向上以預先設定的間隔設置的高頻超聲設備(11)。

14.一種設備(10)，用于向尤其是光電應用的硅電池的基片(12)施加均勻的尤其是磷酸層的薄液層，其具有尤其是如權利要求1和后面的任意權利要求中所述的：處理腔(14)，所述處理腔(14)配置有液體盤(16)；以及把液體轉變成液霧(15)的高頻超聲設備(11)，其特征在于，用于把液體噴成霧狀的所述高頻超聲設備(11)配置有優選為石英玻璃制成的噴嘴(68)，在所述噴嘴(68)下面設置高頻超聲發生器(65)。

15.如權利要求14所述的設備，其特征在于，在從所述液體盤(16)的液面(20)突出的所述噴嘴(68)與所述高頻超聲發生器(65)之間配置有供給線路(69)以允許流體從所述盤(16)流入到所述噴嘴(68)中。