[發明專利]源部件、安裝源部件的設備、以及安裝和移走源部件的方法有效
| 申請號: | 200680013543.0 | 申請日: | 2006-04-21 |
| 公開(公告)號: | CN101163815A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發明(設計)人: | P·索伊尼寧 | 申請(專利權)人: | BENEQ有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/00 | 分類號: | C23C16/00;C23C16/44;C23C16/455;C30B25/00;C23C14/00;C23C14/24 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 余全平 |
| 地址: | 芬蘭*** | 國省代碼: | 芬蘭;FI |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 部件 安裝 設備 以及 移走源 方法 | ||
1.用于氣體沉積方法的源部件,所述源部件能至少部分地插入一配設在一氣體沉積反應器內的源部件配接頭內、或一連接至所述源部件配接頭的源部件空間內,
其特征在于,所述源部件包括一用于固態或液態源材料(3)的腔室(1),所述腔室(1)包括至少一個至少部分敞開的壁、和蓋狀隔離裝置,所述蓋狀隔離裝置能布置在所述腔室(1)的壁上,用于將所述腔室與外界隔離,所述蓋狀隔離裝置和所述腔室(1)布置成彼此相互滑動,以便在所述源部件裝入所述源部件配接頭內后,開啟和/或閉合所述腔室(1)。
2.如權利要求1所述的源部件,其特征在于,配設有操作裝置,使得所述蓋狀隔離裝置通過所述操作裝置能相對于所述腔室(1)移動,或者使得所述腔室(1)通過所述操作裝置能相對于所述隔離裝置移動,以開啟和/或閉合所述的完全與外界隔離的腔室(1)。
3.如權利要求1或2所述的源部件,其特征在于,所述腔室(1)是一源部件坩堝,該源部件坩堝布置用來容納固態或液態源材料(3)。
4.如權利要求1至3中任意一項所述的源部件,其特征在于,所述源部件包括一桿元件(5),所述桿元件(5)具有第一端(11)和第二端(9),且在所述第二端(9)或在所述第二端(9)的附近配設有一腔室(1)。
5.如權利要求1至4中任意一項所述的源部件,其特征在于,所述蓋狀隔離裝置還包括密封件(19),所述密封件(19)配設在所述桿元件(5)內且在所述桿元件的縱向上位于所述腔室(1)的至少一側上,從而,所述密封件(19)在一管(7)布置到所述桿元件(5)上之后,被壓靠著所述管(7)的內表面。
6.如權利要求4至6中任意一項所述的源部件,其特征在于,所述操作裝置配設成使得:所述桿元件(5)在它的縱向軸線方向上能相對于所述蓋狀隔離裝置移動,或者所述蓋狀隔離裝置在所述桿元件(5)的縱向軸線方向能相對于所述桿元件(5)移動,以便開啟和/或閉合所述的完全與外界隔離的腔室(1)。
7.如權利要求1至6中任意一項所述的源部件,其特征在于,所述蓋狀隔離裝置包括具有一管(7),所述管(7)具有一第一端(15)和一第二端(13),且所述管(7)能布置成至少部分地圍繞所述桿元件(5),從而,所述管將所述腔室(1)與外界完全隔離。
8.如權利要求1至6中任意一項所述的源部件,其特征在于,所述蓋狀隔離裝置包括一完全平坦的或者彎曲的蓋體,所述蓋體能至少部分地布置在所述腔室(1)的敞開壁上,以便所述蓋體將所述腔室(1)完全與外界隔離。
9.如權利要求7所述的源部件,其特征在于,所述桿元件(5)比所述管(7)長,由此所述腔室(1)能開啟或者同樣地能閉合,這樣所述桿元件(5)能沿它的縱向軸線方向在所述管(7)內部移動,直到配設在所述桿元件(5)的第二端(9)上或所述第二端(9)附近的腔室(1)的至少一部分從所述管(7)的第二端(13)伸出,或者類似地,直到所述腔室(1)再次完全回退到所述管(7)內。
10.如權利要求7至9中任意一項所述的源部件,其特征在于,所述的用于開啟和/或閉合所述腔室(1)的操作裝置包括:一第一法蘭(25)——其布置在所述桿元件(5)第一端(11)內,和一第二法蘭(27)——其布置在所述管(7)或所述蓋體的第一端(15)內;所述操作裝置包括至少一個彈簧(17),所述彈簧(17)配設在所述桿元件(5)的第一法蘭(25)和所述管(7)或蓋體的第二法蘭(27)之間。
11.如權利要求10所述的源部件,其特征在于,當所述彈簧(17)處于非壓縮狀態時,所述腔室(1)位于與外界完全隔離并且閉合的狀態,且當所述彈簧(17)處于壓縮狀態時,所述腔室(1)至少部分地被開啟。
12.如權利要求10或11所述的源部件,其特征在于,所述操作裝置還包括壓縮和/或釋放裝置,所述壓縮和/或釋放裝置用于壓縮所述彈簧(17),以開啟所述腔室(1),和/或用于釋放所述彈簧(17),以閉合所述腔室(1)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





