[發(fā)明專利]適用于光電子和電子器件中的復合膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680012838.6
• 申請日: 2006-03-16
• 公開（公告）號: CN101160674A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 威廉·阿拉斯代爾·麥克唐納;弗蘭克·普拉奇多;羅伯特·威廉·伊夫森
• 申請（專利權）人: 杜邦帝人薄膜美國有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;B29C55/06;C08L67/03
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;李丙林

1.一種制造復合膜的方法，包括以下步驟：

(i)形成聚合物襯底層；

(ii)在至少一個方向上拉伸所述襯底層；

(iii)在大約19至75kg/m膜寬度范圍內(nèi)的張力的尺寸控制條件下，在高于所述襯底層聚合物的玻璃轉(zhuǎn)化溫度且低于其熔化溫度的溫度下進行熱定形；

(iv)在高于所述襯底層聚合物的玻璃轉(zhuǎn)化溫度且低于其熔化溫度的溫度下，對所述膜進行熱穩(wěn)定；

(v)施加平面化涂層組合物，使所述涂層襯底表面表現(xiàn)出小于0.6nm的Ra值和/或小于0.8nm的Rq值；以及

(vi)通過高能量氣相沉積法提供厚度為2nm至1000nm的無機屏蔽層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中步驟(vi)包括等離子體增強氣相沉積。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其中步驟(vi)包括等離子體增強磁控管濺射。

4.根據(jù)權利要求1到3中任一項所述的方法，其中所述等離子體增強的氣相沉積或者濺射是微波活化的。

5.根據(jù)權利要求1到4中任一項所述的方法，其中在所述無機屏蔽層的沉積之前，所述平面化襯底經(jīng)過約為2至8分鐘的等離子體預處理。

6.根據(jù)權利要求1到5中任一項所述的方法，其中所述濺射的氣體是氬氣，初始壓力不大于10^-6托，并且工作壓力在2到5毫托的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述平面化涂層組分包括聚硅氧烷。

8.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述平面化涂層組合物獲自：

(a)約5重量％到50重量％的固體，所述固體包括大約10重量％到70重量％的二氧化硅和大約90重量％到30重量％的部分聚合的通式為RSi(OH)₃的有機硅烷醇，其中R是選自甲基和達到約40％的選自包括乙烯基、苯基、γ-縮水甘油氧基丙基和γ-甲基丙烯酰氧丙基的組中的基團，以及

(b)約95重量％至約50重量％的溶劑，所述溶劑包括約10重量％到90重量％的水和約90重量％到10重量％的低級脂肪醇，

其中所述涂層組合物具有大約3.0到大約8.0的pH值。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述二氧化硅是具有粒徑為約5nm到約25nm的硅膠。

10.根據(jù)權利要求8或9所述的方法，其中所述涂層組合物的pH值在3.0到6.5的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述聚合物襯底獲自聚萘二甲酸乙二酯或聚對苯二甲酸乙二酯。

12.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述聚合物襯底獲自2，6-萘二甲酸。

13.根據(jù)權利要求11或12所述的方法，其中所述聚萘二甲酸乙二酯具有0.5至1.5的特性粘度。

14.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述復合膜表現(xiàn)出小于10^-3g/m²/天的水蒸氣透過速度(WVTR)。

15.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中所述復合膜表現(xiàn)出小于10^-6g/m²/天的水蒸氣透過速度(WVTR)。

16.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述復合膜表現(xiàn)出小于10^-3mL/m²/天的氧氣透過速度(OTR)。

17.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，所述復合膜的聚合物襯底在230℃下30分鐘內(nèi)具有小于1％的收縮率。

18.根據(jù)前述任一項權利要求所述的方法，其中所述復合膜的聚合物襯底具有的在將所述膜從8℃加熱到200℃然后冷卻到8℃的前后在25℃下測得的殘余尺寸變化值ΔL_r小于原始尺寸的0.75％。