[發明專利]用于厚電介質電致發光顯示器的含有氧化鎂的阻擋層

有效

• 申請號: 200680012420.5
• 申請日: 2006-04-13
• 公開（公告）號: CN101218855A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 吉田功;浜田弘喜;喬·阿基奧內;辛永保;于三
• 申請（專利權）人: 伊菲雷知識產權公司;三洋電機株式會社
• 主分類號: H05B33/12
• 分類號: H05B33/12;H05B33/14;H05B33/22;H05B33/10;H01L33/00;H01L49/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 穆德駿;黃啟行

1.一種用于厚電介質膜電致發光裝置的熒光體層壓制品，所述層壓制品包括：

-稀土激活的堿土硫代鋁酸鹽熒光體薄膜層；

-氧化鎂層或含有氧化鎂的層，其布置為直接鄰近所述熒光體薄膜層的底部并與該底部接觸；以及

-厚膜電介質層，鄰近所述氧化鎂層或含有氧化鎂的層。

2.如權利要求1所述的層壓制品，其中，所述熒光體薄膜層由表達式AB_xC_1+3x/2：RE表示，其中：

A是Mg、Ca、Sr或Ba中的至少一種；

B是Al或In中的至少一種；

C是S或Se中的至少一種；且

2≤x≤4。

3.如權利要求2所述的層壓制品，其中，RE是一種或多種從包括Eu或Ce的組中選擇的稀土激活劑。

4.如權利要求2或3所述的層壓制品，其中，所述熒光體是鋁與鋇的比例為約2.0到約4.0的硫代鋁酸鋇。

5.如權利要求2、3或4所述的層壓制品，其中，所述鋁與鋇的比例是約2.0到約2.2。

6.如權利要求4所述的層壓制品，其中，所述鋁與鋇的比例是約3.0到約4.0。

7.如權利要求3所述的層壓制品，其中，所述熒光體是鎂的原子濃度與鋇加鎂之和的原子濃度的比例約為0.001到0.2的硫代鋁酸鎂鋇。

8.如權利要求3所述的層壓制品，其中，所述熒光體還包括氧，氧的相對原子濃度為小于S和Se的濃度之和的0.2。

9.如權利要求1所述的層壓制品，其中，所述氧化鎂層或含有氧化鎂的層的厚度為約20nm到約50nm。

10.如權利要求1至9之任一所述的層壓制品，其中，所述氧化鎂層或含有氧化鎂的層貼附于所述熒光體薄膜結構。

11.如權利要求1至10之任一所述的層壓制品，其中，所述氧化鎂層或含有氧化鎂的層通過真空沉積工藝沉積。

12.如權利要求11所述的層壓制品，其中，所述真空沉積工藝是濺射。

13.如權利要求12所述的層壓制品，其中，在濺射中使用氧化鎂靶。

14.如權利要求12所述的層壓制品，其中，濺射在低壓含氧氣體環境中進行。

15.如權利要求12所述的層壓制品，其中，濺射在低壓氬氣環境中進行。

16.如權利要求1至15之任一所述的層壓制品，其中，所述厚膜電介質層包括鈮鎂酸鉛(PMN)或鈦鈮鎂酸鉛(PMN-PT)構成的底層，和作為平滑層的鋯鈦酸鉛(PZT)構成的頂層。

17.如權利要求16所述的層壓制品，其中，鈦酸鋇層布置于所述平滑層的上面。

18.如權利要求17所述的層壓制品，其中，另一氧化鋁和鉭酸鋇的層布置于所述鈦酸鋇層上，所述鉭酸鋇直接與所述氧化鎂層或含有氧化鎂的層相鄰。

19.如權利要求17所述的層壓制品，其中，所述鈦酸鋇層的厚度為約70nm到約200nm。

20.如權利要求18所述的層壓制品，其中，所述鉭酸鋇層的厚度為約30nm到約70nm。

21.如權利要求1至20之任一所述的層壓制品，其中，從包括氧化鋁、氮化鋁和氮化硅的組中選擇的層布置為同不與所述熒光體層接觸的氧化鎂層或含有氧化鎂的層的表面相接觸。

22.如權利要求1至21之任一所述的層壓制品，其中，第二氧化鎂層或含有氧化鎂的層被布置在所述熒光體膜上。

23.一種用于厚電介質膜電致發光裝置的熒光體層壓制品，所述層壓制品包括：

-稀土激活的硫代鋁酸鋇熒光體薄膜層；

-氧化鎂層或含有氧化鎂的層，其布置為直接鄰近所述熒光體薄膜層的底部并與該底部接觸；以及

-厚膜電介質層，鄰近所述的氧化鎂層或含有氧化鎂的層。