[發明專利]使用透明基板制造多晶硅膜的方法和裝置

無效

• 申請號: 200680010952.5
• 申請日: 2006-11-14
• 公開（公告）號: CN101156247A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發明（設計）人: 安范模
• 申請（專利權）人: 波音特工程股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 程大軍

1.一種使用透明基板制造多晶硅膜的方法，所述方法包括：在所述透明基板的表面上形成光吸收層；并使用快速熱處理(RTP)光源的輻射加熱所述光吸收層，同時沉積所述多晶硅膜于該光吸收層上。

2.根據權利要求1的方法，其還包括進行背面冷卻用來控制所述透明基板的溫度增加同時形成所述多晶硅膜。

3.根據權利要求1的方法，其中所述光吸收層可為選自以下組中的任何材料：硅(Si)、非晶硅(a-Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)、無定形碳(a-C)、砷化鎵(GaAs)、硅鍺(SiGe)、以及III-V族化合物半導體材料。

4.根據權利要求1的方法，其中將所述光吸收層維持在450-1600℃的自發溫度。

5.一種用于在透明基板的表面上形成多晶硅膜的裝置，所述裝置包括：提供在反應爐內的、托住所述透明基板并對該透明基板進行背面冷卻的基板托架；具有光吸收層且被裝載于所述基板托架上的透明基板；以及用于加熱所述光吸收層并提供用于形成所述多晶硅膜的反應能量的RTP光源。

6.根據權利要求5的裝置，其中所述基板托架還包括涂覆于其上的反射膜。

7.根據權利要求5的裝置，其中所述反應爐內的處理壓力維持在0.1-1000Torr。

8.根據權利要求5的裝置，其中所述基板托架在-20℃至基板變形溫度的范圍內控制所述背面冷卻。

9.一種用于制造薄膜晶體管(TFT)的方法，所述薄膜晶體管(TFT)具有透明基板、形成于所述透明基板上的多晶硅活性層、形成于所述多晶硅活性層上的柵極絕緣層、以及形成于所述柵極絕緣層上的柵極，其中該多晶硅活性層的形成還包括：在透明基板的表面上形成光吸收層；并使用快速熱處理(RTP)光源的輻射加熱所述光吸收層，同時沉積多晶硅膜于該光吸收層上。

10.根據權利要求9的方法，其中所述光吸收層為選自以下組中的任何材料：硅(Si)、非晶硅(a-Si)、鍺(Ge)5、碳化硅(SiC)、無定形碳(a-C)、砷化鎵(GaAs)、硅鍺(SiGe)、以及III-V族化合物半導體材料。

11.一種用于制造場效晶體管(FET)的方法，所述場效晶體管(FET)具有透明基板、形成于所述透明基板上的多晶硅活性層、形成于所述多晶硅活性層上的柵極絕緣層、以及形成于所述柵極絕緣層上的柵極，其中該多晶硅活性層的形成還包括：在透明基板的表面上形成光吸收層；并使用RTP光源的輻射加熱所述光吸收層，同時沉積多晶硅膜于該光吸收層上。

12.根據權利要求11的方法，其中所述光吸收層為選自以下組中的任何材料：硅(Si)、非晶硅(a-Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)、無定形碳(a-C)、砷化鎵(GaAs)、硅鍺(SiGe)、以及III-V族化合物半導體材料。

13.一種使用透明基板的多晶硅膜的結構，所述結構包括：形成于所述透明基板上的光吸收層；以及使用RTP光源的輻射加熱所述光吸收層時形成于該光吸收層上的所述多晶硅膜。

14.根據權利要求13的結構，其中所述光吸收層為選自以下組的任何材料：硅(Si)、非晶硅(a-Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)、無定形碳(a-C)、砷化鎵(GaAs)、硅鍺(SiGe)、以及III-V族化合物半導體材料。