[發(fā)明專利]空穴注入材料、發(fā)光元件用材料、發(fā)光元件、有機化合物、單體和單體混合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680010458.9
• 申請日: 2006-01-26
• 公開（公告）號: CN101167196A
• 公開（公告）日: 2008-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鈴木恒德;野村亮二;川上祥子
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;C07C211/54;C08F12/08;C08F12/28;C09K11/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 劉冬;林森

1.一種空穴注入材料，所述空穴注入材料包含：

具有下面的通式(1)所代表的重復(fù)單元的聚合物：

其中R¹代表氫、烷基、氰基或烷氧基，

其中R²代表芳基，

其中所述聚合物的電離電位為4.9eV或以上和5.4eV或以下。

2.權(quán)利要求1的空穴注入材料，其中式中R²所代表的芳基含供電子取代基。

3.權(quán)利要求2的空穴注入材料，其中所述供電子取代基根據(jù)Hammett規(guī)則的取代基常數(shù)σ為-2.1或以上和0.15或以下。

4.權(quán)利要求1的空穴注入材料，其中式中R²所代表的芳基為含二芳基氨基的芳基。

5.一種空穴注入材料，所述空穴注入材料包含：

具有下面的通式(1)所代表的重復(fù)單元的聚合物：

其中R¹代表氫、烷基、氰基或烷氧基，

其中R²代表下式(2)所代表的基團，和

其中Ar¹-Ar³各代表含6-14個碳原子的芳基。

6.權(quán)利要求5的空穴注入材料，其中所述聚合物為線形聚合物。

7.一種空穴注入材料，所述空穴注入材料包含：

具有下面的通式(3)所代表的重復(fù)單元的聚合物：

8.權(quán)利要求1、5和7中任一項的空穴注入材料，其中所述聚合物為聚{4-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯}。

9.權(quán)利要求5和7中任一項的空穴注入材料，其中所述聚合物的電離電位為4.9eV或以上和5.4eV或以下。

10.權(quán)利要求1、5和7中任一項的空穴注入材料，其中所述聚合物的數(shù)均分子量為2000或以上和500000或以下。

11.權(quán)利要求1、5和7中任一項的空穴注入材料，其中所述聚合物的數(shù)均分子量為10000或以上和100000或以下。

12.一種發(fā)光元件，所述發(fā)光元件使用權(quán)利要求1、5和7中任一項的空穴注入材料。

13.一種下面的通式(4)所代表的有機化合物，

其中Ar¹-Ar³代表含6-14個碳原子的芳基。

14.一種包含下面的通式(4)所代表的有機化合物的單體，

其中Ar¹-Ar³各代表含6-14個碳原子的芳基。

15.一種含至少兩種下面的通式(4)所代表的有機化合物的單體混合物，

其中Ar¹-Ar³各代表含6-14個碳原子的芳基。

16.一種下面的通式(5)所代表的有機化合物，

17.一種包含下面的通式(5)所代表的有機化合物的單體混合物，

18.一種含下面的通式(5)所代表的有機化合物的單體，