[發(fā)明專利]降低x－射線輻射對植入式醫(yī)療設(shè)備電路不良影響的方法和器械無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680010339.3 | 申請日： | 2006-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN101171051A | 公開（公告）日： | 2008-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | W·J·克萊門特;J·D·威爾金森;J·R·伯伊斯曼;G·B·博格丁;藤本廣志 | 申請（專利權(quán)）人： | 麥德托尼克公司 |
| 主分類號： | A61N1/375 | 分類號： | A61N1/375;A61N1/16;A61N1/37;A61L31/18;G21F1/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 陳哲鋒 |
| 地址： | 美國明*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 降低 射線 輻射 植入 醫(yī)療 設(shè)備 電路 不良 影響 方法 器械 | ||
1.一種保護植入式醫(yī)療設(shè)備(IMD)工作電路免受x-射線輻射沖擊的方法，所述方法包括：
確定元件、電路和/或電路通道是否可被x-射線輻射沖擊改變或損壞；和
將適當(dāng)尺寸的輻射不透明材料部分置于IMD的外殼與元件、電路和/或電路通道之間。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定步驟進一步包括：
使一部分元件、電路和/或電路通道暴露于x-射線輻射；和
運行元件、電路和/或電路通道以確定元件、電路和/或電路通道是否由于x-射線輻射沖擊而改變或損壞。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定步驟進一步包括：
使一部分元件、電路和/或電路通道暴露于x-射線輻射；和
測試元件、電路和/或電路通道以確定元件、電路和/或電路通道是否由于x-射線輻射沖擊而改變或損壞。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定步驟進一步包括：
在x-射線輻射源和一部分元件、電路和/或電路通道之間插入其中形成有至少一個孔的x-射線不透明材料層；和
對x-射線輻射源供能保持預(yù)定的時間量。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述確定步驟進一步包括：
在x-射線輻射源和一部分元件、電路和/或電路通道之間插入其中形成有至少一個孔的x-射線不透明材料層；和
對x-射線輻射源供能直到x-射線輻射源傳遞了預(yù)定量的能量。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述適當(dāng)尺寸的輻射不透明材料部分包括大致平面的片材。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述材料包括陶瓷材料和金屬材料中的一種。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述輻射不透明材料包括鉛。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述IMD包括以下之一：
起搏器、神經(jīng)刺激器、植入式心復(fù)律器-除顫器、藥物泵、神經(jīng)刺激器、植入式脈沖發(fā)生器、深部腦刺激器。
10.一種植入式醫(yī)療設(shè)備(IMD)，其包括：
基本密封的外殼；
至少部分地位于外殼內(nèi)的用于運行和控制IMD的處理裝置，所述處理裝置包括至少一個x-射線輻射易損電路、電路系統(tǒng)和/或電路通道；
置于外殼內(nèi)且位于x-射線輻射易損電路、電路系統(tǒng)和/或電路通道與外殼之間的一部分x-射線不透明材料，所述x-射線不透明材料被構(gòu)造成僅覆蓋部分處理器裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述處理器進一步被配置成調(diào)節(jié)IMD刺激心臟的刺激速率。
12.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述IMD包括以下之一：
起搏器、神經(jīng)刺激器、植入式心復(fù)律器-除顫器、藥物泵、神經(jīng)刺激器、植入式脈沖發(fā)生器、深部腦刺激器。
12.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述x-射線不透明材料部分包括大致平面的片材。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述材料包括陶瓷材料和金屬材料中的一種。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述輻射不透明材料包括鉛。
15.一種器械，其包括：機械連接在植入式醫(yī)療設(shè)備(IMD)基本氣密密封外殼內(nèi)的用于偏轉(zhuǎn)x-射線輻射的裝置，其中，所述裝置包括大致平面的片材。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述材料包括陶瓷材料和金屬材料中的一種。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述輻射不透明材料包括鉛。
18.如權(quán)利要求15所述的器械，其特征在于，所述IMD包括下組中的一個：
起搏器、藥物遞送泵、神經(jīng)刺激設(shè)備、肌肉刺激設(shè)備、植入式心復(fù)律器-除顫器、皮下除顫器、深部腦刺激器。
19.如權(quán)利要求15所述的器械，其特征在于，所述大致平面的片材包括沉積在IMD至少一個潛在易損電子元件或電路上或覆蓋其的材料層。
20.如權(quán)利要求15所述的器械，其特征在于，所述大致平面的片材包括IMD掩蔽物，具有厚度增加區(qū)域以掩蔽IMD至少一個潛在易受損電子元件或電路免受外部產(chǎn)生的x-射線輻射的影響。
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