[發明專利]使用光致抗蝕劑掩模的蝕刻

無效

• 申請號: 200680010250.7
• 申請日: 2006-03-07
• 公開（公告）號: CN101151719A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: J·金;S·李;B·A·沃爾沙姆;R·查拉坦;S·M·R·薩亞迪
• 申請（專利權）人: 蘭姆研究有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 余剛;李丙林

1.一種蝕刻襯底上的介電層的方法，包括：

在介電層上形成光致抗蝕劑掩模；

將襯底放入等離子體處理室中；

向等離子體室內提供含有NF₃的蝕刻氣體；

由NF₃氣體形成等離子體；以及

通過光致抗蝕劑掩模，使用由NF₃氣體形成的等離子體蝕刻介電層。

2.如權利要求1所述的方法，其中蝕刻氣體基本不含有碳氟化合物和氫氟烴。

3.如權利要求1-2中任一項所述的方法，其中介電層是低k介電層。

4.如權利要求1-3中任一項所述的方法，其中介電層是氧化硅基介電層。

5.如權利要求4所述的方法，其中氧化硅基介電層是有機硅酸鹽玻璃。

6.如權利要求1-5中任一項所述的方法，其中形成光致抗蝕劑掩模是形成厚度不超過400nm的光致抗蝕劑掩模。

7.如權利要求1-5中任一項所述的方法，其中形成光致抗蝕劑掩模是形成厚度不超過200nm的光致抗蝕劑掩模。

8.如權利要求1-7中任一項所述的方法，其中蝕刻氣體主要由NF₃和惰性稀釋劑組成。

9.由權利要求1-8中任一項的方法制造的半導體器件。

10.一種蝕刻襯底上的介電層的方法，包括：

在介電層上形成厚度不超過400nm的光致抗蝕劑掩模；

將襯底放入等離子體處理室中；

向等離子體室內提供主要由NF₃和稀釋劑組成的蝕刻氣體；

由NF₃氣體形成等離子體；以及

通過光致抗蝕劑掩模，使用由NF₃氣體形成的等離子體蝕刻介電層。

11.如權利要求10中所述的方法，其中介電層是低k介電層。

12.如權利要求10-11中任一項所述的方法，其中介電層是氧化硅基介電層。

13.如權利要求10所述的方法，其中介電層是有機硅酸鹽玻璃。

14.一種用于在蝕刻層中形成特征的設備，其中所述層由襯底支撐，并且其中所述蝕刻層由光致抗蝕劑掩模覆蓋，該設備包括：

等離子體處理室，包括：

形成等離子體處理室殼體的室壁；

用于在等離子體處理室殼體內支撐襯底的襯底支撐物；

用于調節等離子體處理室殼體內的壓力的壓力調節器；

至少一個用于向等離子體處理室殼體提供電能來維持等離子體的電極；

用于向等離子體處理室殼體內提供氣體的進氣口；以及

用于從等離子體處理室殼體排氣的出氣口；

與進氣口流體連接的含有NF₃源的氣源，

可控制地連接到氣源和所述至少一個電極的控制器，包含：

至少一個處理器；以及

計算機可讀介質，包括：

用于從NF₃源向等離子體處理室內提供NF₃氣體的計算機可讀代碼；

用于由NF₃氣體產生等離子體的計算機可讀代碼；

用于提供等離子體條件以使用由NF₃氣體形成的等離子體對蝕刻層進行蝕刻的計算機可讀代碼。