[發明專利]用于制造具有例如TCO無機涂層的箔片的方法有效
| 申請號: | 200680010237.1 | 申請日: | 2006-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN101151738A | 公開(公告)日: | 2008-03-26 |
| 發明(設計)人: | L·V·德揚 | 申請(專利權)人: | 阿克佐諾貝爾股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 楊曉光;李崢 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 具有 例如 tco 無機 涂層 方法 | ||
1.一種用于制造具有無機涂層的箔片的方法,包括以下步驟:
(a)提供可蝕刻的臨時基底箔,
(b)將所述無機涂層施加到所述臨時基底上,
(c)施加永久載體,
(d)可選地,去除所述臨時基底的一部分,
(e)將所述箔沿切割線切割成片,其中所述切割線位于所述箔的一部分處,其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至少0.25mm的寬度的所述臨時基底,
(f)去除所述臨時基底的至少一部分。
2.根據權利要求1的方法,其中在步驟(c)與步驟(e)之間通過蝕刻去除在所述切割線的位置處的所述臨時基底。
3.根據權利要求1或2的方法,其中所述臨時基底具有相對所述切割線的每一側邊的至少0.25mm,更具體而言至少1mm的寬度。
4.根據權利要求1至3中的任何一者的方法,其中所述切割線位于所述臨時基底的帶上,所述帶具有小于20cm,優選小于10cm,更優選小于3cm的寬度。
5.根據權利要求1至4中的任何一者的方法,其中具有無機涂層的所述箔是太陽能電池、有機發光器件或顯示器,所述方法包括以下步驟:
(a)提供可蝕刻的臨時基底箔,
(b)將透明導電氧化物(TCO)的前電極施加到所述臨時基底上,
(b1)將光伏層、OLED層或前面板層壓層施加到所述TCO層上,
(b2)施加背電極層,
(c)施加永久載體,
(d)可選地,去除所述臨時基底的一部分,
(e)將所述箔沿切割線切割成片,其中所述切割線位于所述箔的一部分處,其中在所述箔的一部分處存在具有相對所述切割線的每一側邊的至少0.25mm的寬度的所述臨時基底,
(f)去除所述臨時基底的至少一部分。
6.根據權利要求1至5中的任何一者的方法,其中所述臨時基底是鋁。
7.一種通過權利要求1-6中的任何一者獲得的箔片,其包括具有在從所述箔切割下來的側邊的邊緣處的20cm與0.5mm之間的寬度的臨時基底的帶。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于阿克佐諾貝爾股份有限公司,未經阿克佐諾貝爾股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680010237.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種基于ASN類型對象的代碼生成方法
- 下一篇:一種分段模式匹配方法及其裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





