[發(fā)明專利]等離子摻雜方法和等離子處理裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680010228.2
• 申請日: 2006-03-29
• 公開（公告）號: CN101151709A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奧村智洋;佐佐木雄一朗;岡下勝己;水野文二;伊藤裕之;中山一郎;金成國
• 申請（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 肖鸝

1.一種等離子摻雜方法，包括以下步驟：

經(jīng)由真空室的貫通門將樣品傳送到真空室內(nèi)；

將所述樣品安放在所述真空室內(nèi)的樣品電極上；

將所述真空室的內(nèi)部排空，同時(shí)使氣體幾乎各向同性地從與所述樣品相對的表面流向朝所述樣品；在所述真空室內(nèi)產(chǎn)生等離子體，同時(shí)將所述真空室內(nèi)部控制在預(yù)定的壓力；和

使所述等離子體內(nèi)的雜質(zhì)離子與所述樣品的表面碰撞，以把所述雜質(zhì)離子導(dǎo)入所述樣品的表面；

其中貫通門在所述等離子體產(chǎn)生時(shí)被活門覆蓋。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子摻雜方法，還包括以下步驟：

通過用高頻電供應(yīng)等離子源，在真空室內(nèi)產(chǎn)生等離子體。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子摻雜方法，其中所述樣品是由硅制成的半導(dǎo)體襯底。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子摻雜方法，其中所述純凈物是砷、磷、硼、鋁或銻。

5.一種等離子處理裝置，包括：

真空室；

樣品電極：

用來將氣體供應(yīng)到所述真空室內(nèi)的氣體供應(yīng)裝置；

各向同性地設(shè)置且同時(shí)與所述樣品電極相對的氣體流出孔；用來將所述真空室內(nèi)部排空的排氣口；

用來控制所述真空室內(nèi)部壓力的壓力控制器；和

用來給所述樣品電極供應(yīng)電的樣品電極電源；

其中所述真空室包括貫通門和活門，包括驅(qū)動(dòng)裝置的所述活門可以在所述貫通門開啟的打開位置和所述貫通門被蓋住的關(guān)閉位置之間移動(dòng)。

6.如權(quán)利要求5所述的等離子摻雜裝置，其中所述活門具有圓柱形形狀。

7.如權(quán)利要求6所述的等離子摻雜裝置，其中所述真空室具有圓柱形形狀。

8.如權(quán)利要求5所述的等離子摻雜裝置，還包括在所述活門內(nèi)固定到所述真空室的圓柱形內(nèi)室。

9.如權(quán)利要求8所述的等離子摻雜裝置，其中所述內(nèi)室的最低部分定位于所述活門的最低部分之下。

10.如權(quán)利要求5所述的等離子摻雜裝置，其中所述內(nèi)室的最低部分定位于所述樣品電極的上表面之下。

11.如權(quán)利要求5所述的等離子摻雜裝置，其中所述驅(qū)動(dòng)裝置包括電機(jī)、與所述活門緊密接觸的旋轉(zhuǎn)體和用來把所述電機(jī)的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)傳遞給所述旋轉(zhuǎn)體的傳動(dòng)件。

12.如權(quán)利要求11所述的等離子摻雜裝置，其中所述旋轉(zhuǎn)體是由彈性樹脂制成。

13.如權(quán)利要求8所述的等離子摻雜裝置，其中所述內(nèi)室通過將伸出所述圓柱外的蓋件設(shè)置在所述真空室的上表面來固定到所述真空室。

14.如權(quán)利要求13所述的等離子摻雜裝置，其中所述內(nèi)室和所述活門用圓柱形軸承單元相互聯(lián)接。

15.如權(quán)利要求14所述的等離子摻雜裝置，還包括在上位和下位這兩個(gè)位置中的每一個(gè)的所述軸承單元。

16.如權(quán)利要求14所述的等離子摻雜裝置，其中在所述活門的圓柱內(nèi)伸出的凸件的內(nèi)周配合到設(shè)置在所述內(nèi)室的圓柱外的凹件，其中所述軸承單元設(shè)置在所述凸件和所述凹件之間，且其中所述凸件的內(nèi)徑小于所述內(nèi)室的圓柱的外部形狀。