[發明專利]氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光元件

無效

• 申請號: 200680009593.1
• 申請日: 2006-03-31
• 公開（公告）號: CN101147303A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 松下保彥;中澤崇一
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社;鳥取三洋電機株式會社
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01L21/205
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫

1.一種氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，在氮化鎵襯底上制造所述氮化鎵系化合物半導體激光元件，其特征在于，作為上述氮化鎵襯底的結晶生長面，使用在(0001)Ga面的<1-100>方向上以絕對值傾斜0.16度以上、5.0度以下的面，且以0.5/秒以上、5.0/秒以下的生長速度使活性層生長。

2.如權利要求1所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，上述半導體激光元件的激發波長為395～405nm。

3.如權利要求1或2所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，將上述半導體激光元件的諧振器面作為結晶的自然解理面。

4.如權利要求1～3中任意一項所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，將上述半導體激光元件的諧振器面的出射面調整為反射率達到10～30％，在上述諧振器面的后面形成反射率為70％以上的端面涂層。

5.如權利要求1～3中任意一項所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，在上述半導體激光元件的諧振器面的出射面形成反射率為10％以下的端面涂層，在上述諧振器面的后面形成反射率為70％以上的端面涂層。

6.一種氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，在氮化鎵襯底上制造所述氮化鎵系化合物半導體激光元件，其特征在于，作為上述氮化鎵襯底的結晶生長面，使用將向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏離角度作為A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏離角度作為B時(A²+B²)的平方根為0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上、5.0/秒以下的生長速度使活性層生長。

7.如權利要求6所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，上述半導體激光元件的激發波長為395～405nm。

8.如權利要求6或7所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，將上述半導體激光元件的諧振器面作為結晶的自然解理面。

9.如權利要求6～8中任意一項所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件的制造方法，其特征在于，將上述半導體激光元件的諧振器面的出射面調整為反射率達到10～30％，在上述諧振器面的后面形成反射率為70％以上的端面涂層。

10.如權利要求6～8中任意一項所述的氮化鎵系化合物半導體激光元件，其特征在于，在上述半導體激光元件的諧振器面的出射面形成反射率為10％以下的端面涂層，在上述諧振器面的后面形成反射率為70％以上的端面涂層。

11.一種氮化鎵系化合物半導體激光元件，形成在氮化鎵襯底上，其特征在于，上述氮化鎵襯底的結晶生長面具有在(0001)Ga面的<1-100>方向以絕對值傾斜0.16度以上、5.0度以下的面，且以5/秒以上、5.0/秒以下的生長速度使活性層生長。

12.一種氮化鎵系化合物半導體激光元件，形成在氮化鎵襯底上，其特征在于，上述氮化鎵襯底的結晶生長面具有將向(0001)Ga面的<1-100>方向的偏離角度作為A、向(0001)Ga面的<11-20>方向的偏離角度作為B時(A²+B²)的平方根為0.17以上、7.0以下的面，且以0.5/秒以上、5.0/秒以下的生長速度使活性層生長。