[發(fā)明專利]氧化鋅系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680009529.3 | 申請日： | 2006-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN101147269A | 公開（公告）日： | 2008-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 中原健 | 申請（專利權(quán)）人： | 羅姆股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01S5/327 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鋅 化合物 半導(dǎo)體 發(fā)光 元件 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種氧化鋅系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其為在基板上以形成發(fā)出400nm以下波長的光的發(fā)光層形成部的方式疊層ZnO系化合物半導(dǎo)體層的氧化鋅系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：
使用由MgxZn1-xO(0＜x≤0.5)構(gòu)成的基板作為所述基板。
2.一種氧化鋅系化合物半導(dǎo)體元件，其特征在于：
設(shè)所述基板的Mg的混晶比率為x，設(shè)所述發(fā)出的光的波長為λ，以(1240/λ-3.3)/4≤x的方式形成所述基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化鋅系化合物半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于：
所述基板的主面是A面(11-20)或M面(10-10)，與該主面平行的面在{11-20}面或{10-10}面上取向、并且與所述主面垂直的面在{0001}面上取向而外延生長所述ZnO系化合物半導(dǎo)體層。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于羅姆股份有限公司，未經(jīng)羅姆股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680009529.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：氣體等離子體滅菌裝置
- 下一篇：用于種子處理的2－氰基苯磺酰胺化合物
