[發明專利]用于表征清澈和混濁介質中的顆粒的方法和設備無效
| 申請號: | 200680009509.6 | 申請日: | 2006-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN101147055A | 公開(公告)日: | 2008-03-19 |
| 發明(設計)人: | E·格拉頓;G·莫托爾西;A·塔哈里 | 申請(專利權)人: | 伊利諾伊大學評議會 |
| 主分類號: | G01N21/64 | 分類號: | G01N21/64 |
| 代理公司: | 北京北翔知識產權代理有限公司 | 代理人: | 謝靜;楊勇 |
| 地址: | 美國伊*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 表征 清澈 混濁 介質 中的 顆粒 方法 設備 | ||
1.一種用于分析樣本中顆粒的設備,所述設備包括:
至少部分透明的容器,用于容納包含所述顆粒的所述樣本;
光源,用于產生提供給所述樣本的激發光,從而使得至少部分所述顆粒產生熒光;
用于收集來自位于所述容器內的觀察體積的熒光的裝置;
用于移動所述容器的裝置,從而使至少部分所述顆粒傳輸穿過所述觀察體積;以及
與所述用于收集熒光的裝置光通信的光電檢測器,用于接收來自所述觀察體積的至少部分所述熒光并測量其強度,從而產生所述熒光的時間曲線。
2.根據權利要求1所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置繞著穿過所述容器中心的旋轉軸旋轉所述容器。
3.根據權利要求2所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置以在大約0.1轉/秒到大約10轉/秒的范圍內的速率旋轉所述容器。
4.根據權利要求1所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置在垂直方向上提供所述容器的平移。
5.根據權利要求4所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置以在大約0.01厘米/秒到大約5厘米/秒的范圍內的速率垂直反轉所述容器。
6.根據權利要求1所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置同時旋轉和垂直反轉所述容器。
7.根據權利要求1所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置是馬達、開關電子器件或偏心旋轉板設備。
8.根據權利要求1所述的設備,其中所述用于收集來自所述觀察體積的熒光的裝置是共焦顯微鏡。
9.根據權利要求1所述的設備,其中所述光源產生空間上準直的激發光。
10.根據權利要求1所述的設備,其中所述觀察體積位于距所述容器壁大約100微米到大約2?000微米的距離。
11.根據權利要求1所述的設備,其中所述觀察體積具有大約1×102μm3至大約1×108μm3之間的體積。
12.根據權利要求1所述的設備,其中所述用于移動所述容器的裝置使顆粒一次一個地穿過所述觀察體積。
13.根據權利要求1所述的設備,進一步包括具有模式識別算法的處理器,用于接收并分析由所述光電檢測器產生的所述時間曲線。
14.根據權利要求13所述的設備,其中所述模式識別算法使所述時間曲線中的特征與預定模式相匹配,其中所述預定模式對應于穿過所述觀察體積的顆粒的時間依賴型熒光強度。
15.根據權利要求14所述的設備,其中所述預定模式通過經驗確定。
16.根據權利要求13所述的設備,其中當作為時間函數的預定模式和時間曲線的強度彼此相差在大約20%之內時,即為預定模式與所述時間曲線的特征相匹配。
17.根據權利要求13所述的設備,其中當預定模式的寬度和顆粒穿過所述觀察體積的飛行時間相關時,即為預定模式與所述時間曲線的特征相匹配。
18.根據權利要求13所述的設備,其中所述模式識別算法對所述時間曲線的特征和所述預定模式之間的匹配的數量進行計數。
19.根據權利要求18所述的設備,其中所述時間曲線的特征和所述預定模式之間的匹配的數量與所述樣本中所述顆粒的濃度成比例。
20.根據權利要求13所述的設備,其中所述模式識別算法將所述時間曲線中的特征與預定模式相匹配,其中所述預定模式對應于穿過所述觀察體積的顆粒的時間依賴型熒光強度,并且其中與所述時間曲線中的所述特征匹配的所述預定模式的寬度與所述顆粒的大小成比例。
21.根據權利要求13所述的設備,其中所述模式識別算法產生包括具有不同總積分強度的匹配特征的直方圖的輸出。
22.根據權利要求1所述的設備,其中所述顆粒是帶熒光標記的顆粒、固有熒光顆粒或既是帶熒光標記的顆粒又是固有熒光顆粒。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于伊利諾伊大學評議會,未經伊利諾伊大學評議會許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200680009509.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:使用接觸鏡控制近視
- 下一篇:電化學處理設備和處理半導體器件的方法





