[發(fā)明專利]帶優(yōu)化C（T）的ITFC

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680009401.7
• 申請日: 2006-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN101147434A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·帕蘭杜茨;D·伍德
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H05K1/16
• 分類號(hào): H05K1/16;H01G4/12
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 顧嘉運(yùn)

1.一種裝置，包括：

包含置于兩個(gè)電極之間的第一陶瓷材料的第一電容器結(jié)構(gòu)；以及

包含置于兩個(gè)電極之間的第二陶瓷材料的第二電容器結(jié)構(gòu)，

其中所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料具有不同的額定工作溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括核襯底，其中所述第一電容器結(jié)構(gòu)耦合至所述核襯底的一個(gè)表面，而所述第二電容器結(jié)構(gòu)耦合至所述核襯底的一相對表面。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一陶瓷材料的額定工作溫度大于所述第二陶瓷材料的額定工作溫度，并且所述第一電容器結(jié)構(gòu)耦合至所述核襯底的管芯側(cè)。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，還包括核襯底，其中所述第一電容器結(jié)構(gòu)和所述第二電容器結(jié)構(gòu)耦合至所述核襯底的相似表面。

5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一電容器結(jié)構(gòu)被定位在所述核襯底上用于第一下垂電容，而所述第二電容器結(jié)構(gòu)被定位成用于第二下垂電容。

6.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第一陶瓷材料的額定工作溫度大于所述第二陶瓷材料的額定工作溫度，并且其中所述第一電容器結(jié)構(gòu)被置于由所述第二電容器結(jié)構(gòu)限定的區(qū)域內(nèi)。

7.一種系統(tǒng)，包括：

包含微處理器的計(jì)算設(shè)備，所述微處理器通過襯底耦合至印刷電路板，所述襯底包括包含置于兩個(gè)電極之間的第一陶瓷材料的第一電容器結(jié)構(gòu)以及包含置于兩個(gè)電極之間的第二陶瓷材料的第二電容器結(jié)構(gòu)，

其中所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料具有不同的額定工作溫度。

8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一電容器結(jié)構(gòu)耦合至所述襯底的一個(gè)表面，而所述第二電容器結(jié)構(gòu)耦合至所述襯底的一相對表面。

9.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一電容器結(jié)構(gòu)被定位在所述核襯底上用于第一下垂電容，而所述第二電容器結(jié)構(gòu)被定位成用于第二下垂電容。

10.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一陶瓷材料的額定工作溫度大于所述第二陶瓷材料的額定工作溫度，并且其中所述第一電容器結(jié)構(gòu)被置于由所述第二電容器結(jié)構(gòu)限定的區(qū)域內(nèi)。

11.一種裝置，包括：

第一電極、第二電極、以及置于所述第一電極和第二電極之間的介電材料，

其中所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)包含在其一個(gè)表面內(nèi)形成的多個(gè)孔。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述多個(gè)孔貫穿所述第一電極和所述第二電極中的至少一個(gè)的厚度延伸。

13.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述多個(gè)孔中的每一個(gè)都限定一體積，并且其中所述體積的一部分包含導(dǎo)電材料。

14.如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于，所述多個(gè)孔中的每一個(gè)都限定一體積，并且其中所述體積的一部分包含其熱膨脹系數(shù)在用于電極的材料和用于所述第一電極與所述第二電極之一的介電材料的材料之間的材料。

15.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極中的每一個(gè)都包含貫穿其厚度的多個(gè)孔。