[發(fā)明專利]含釕膜的沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200680009175.2
• 申請日: 2006-09-22
• 公開（公告）號: CN101223298A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·迪薩拉;J·伽蒂諾
• 申請（專利權(quán)）人: 喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;C07F17/02;C23C16/40;C07F15/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 林柏楠;劉金輝

1.在基底上沉積含釕膜的方法，包括下列步驟：

a)向反應(yīng)器內(nèi)提供至少一種基底；

b)在所述反應(yīng)器內(nèi)加入至少一種具有下式的含釕前體：

(R_n-chd)Ru(CO)₃

其中，

-(R_n-chd)代表被n個取代基R取代的一個環(huán)己二烯(chd)配體，任何R位于chd配體的任意位置上；

-n是包括1至8的整數(shù)(1≤n≤8)，并代表chd配體上的取代基數(shù)；

-當(dāng)R位于chd配體的8個可用位置的任一個上時，R選自由C1-C4直鏈或支鏈烷基、烷基酰胺、醇鹽、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基組成的組，而對于chd環(huán)中不包含在雙鍵中的C位置上的取代，R也可以是氧O；

-chd配體上未被取代的位置被H分子占據(jù)；

c)于高于100℃的溫度條件沉積所述至少一種含釕前體；

d)在所述基底上沉積所述含金屬的膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中n＝1且R是C1-C4烷基，優(yōu)選R是甲基或乙基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中至少一個R取代基位于配體的具有雙C鍵的碳原子上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一的方法，其中釕前體的式是1-甲基環(huán)己1，4-二烯。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中n大于1且R是C1-C4烷基，優(yōu)選甲基和/或乙基。

6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中在chd配體的沒有雙鍵的碳上有至少一個R。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一的方法，其中溫度條件選自100℃至500℃，優(yōu)選150℃至350℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7之一的方法，其中進(jìn)入反應(yīng)器的壓力保持在1Pa至10⁵Pa，優(yōu)選25Pa至10³Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8之一的方法，進(jìn)一步包括向反應(yīng)器內(nèi)提供至少一種還原流的步驟，所述還原流優(yōu)選選自由H₂、NH₃、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、含氫流、氫基團及其混合物組成的組。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一的方法，進(jìn)一步包括向反應(yīng)器內(nèi)提供至少一種含氧流的步驟，所述含氧流優(yōu)選選自由O₂、O₃、H₂O、H₂O₂、含氧基團、例如O^-或OH^-、及其混合物組成的組。

11.具有下式的含釕前體用于在基底上沉積含Ru膜的用途：

(R_n-chd)Ru(CO)₃

其中，

-(R_n-chd)代表被n個取代基R取代的環(huán)己二烯(chd)配體，任何R位于chd配體的任意位置上；

-n是包括1至8的整數(shù)(1≤n≤8)，并代表chd配體上的取代基數(shù)；

-當(dāng)R位于chd配體的8個可用位置的任一個上時，R選自由C1-C4直鏈或支鏈烷基、烷基酰胺、醇鹽、烷基甲硅烷基酰胺、脒根、羰基和/或氟烷基組成的組，而對于chd環(huán)中不包含在雙鍵中的C位置上的取代，R也可以是氧O。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的用途，其中n＝1且R是C1-C4烷基，優(yōu)選甲基或乙基。

13.根據(jù)權(quán)利要求11至12的用途，其中至少一個R取代基位于配體的具有雙C鍵的碳原子上。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13的用途，其中釕前體的式是1-甲基環(huán)己1，4-二烯。

15.根據(jù)權(quán)利要求11的用途，其中n大于1且R是C1-C4烷基，優(yōu)選甲基和/或乙基。

16.根據(jù)權(quán)利要求15的用途，其中在chd配體的不包含在雙鍵中的碳上具有至少一個R。