[發明專利]形成凹進式通路裝置的方法

有效

• 申請號: 200680009171.4
• 申請日: 2006-03-08
• 公開（公告）號: CN101147257A
• 公開（公告）日: 2008-03-19
• 發明（設計）人: 庫納爾·R·帕雷克;蘇拉杰·馬修;吉吉什·D·特里維迪;約翰·K·扎胡拉克;珊·D·唐
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王允方

1.一種形成與半導體構造相關聯的凹進式通路裝置的方法，其包括：

提供半導體襯底；

在所述襯底內形成凹進式通路裝置溝渠，一對所述凹進式通路裝置溝渠彼此鄰近；

在所述凹進式通路裝置溝渠內形成導電柵極材料；

在所述導電柵極材料附近形成源極/漏極區；所述導電柵極材料和源極/漏極區一起形成對應于所述凹進式通路裝置的晶體管裝置；

在所述襯底內形成所述凹進式通路裝置溝渠之后，在所述對的所述鄰近凹進式通路裝置之間形成隔離區溝渠；以及

用電絕緣材料填充所述隔離區溝渠以形成溝渠式隔離區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括單晶硅，且其中所述凹進式通路裝置溝渠和所述隔離區溝渠延伸到所述襯底的單晶硅中。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述凹進式通路裝置溝渠延伸到所述單晶硅內的第一深度，且其中所述隔離區溝渠延伸到所述單晶硅內的第二深度，所述第二深度比所述第一深度深至少約兩倍。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成所述導電柵極材料在形成所述隔離區溝渠之后發生。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成所述導電柵極材料在形成所述隔離區溝渠之前發生。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電柵極材料包括導電摻雜硅。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述導電柵極材料包括導電摻雜硅，且其中所述形成所述導電柵極材料包括：

用大致未摻雜硅填充所述凹進式通路裝置溝渠；以及

對所述凹進式通路裝置溝渠內的硅進行摻雜。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述電絕緣材料包括二氧化硅。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述電絕緣材料包括所述溝渠內的氮化硅襯墊；所述襯墊處于所述二氧化硅與所述襯底之間。

10.一種形成與半導體構造相關聯的凹進式通路裝置的方法，其包括：

提供半導體襯底；

在所述襯底內形成凹進式通路裝置溝渠；

用第一電絕緣材料填充所述凹進式通路裝置溝渠；

將所述第一電絕緣材料圖案化成界定多個通路裝置區的掩模，所述通路裝置區是由隔離區包圍的島狀物；所述通路裝置區僅包括所述凹進式通路裝置溝渠的若干部分；

蝕刻到所述隔離區的襯底中以使所述隔離區的襯底凹進；

用第二電絕緣材料覆蓋所述凹進襯底以用所述第二電絕緣材料覆蓋所述隔離區；

去除所述第一電絕緣材料的至少大部分，同時留下所述第二電絕緣材料的至少大部分；以及

在去除所述第一電絕緣材料的至少大部分之后，在所述凹進式通路裝置溝渠的由所述通路裝置區包括的所述若干部分內形成柵極材料。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述襯底包括單晶硅，且其中所述凹進式通路裝置溝渠延伸到所述襯底的單晶硅中。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一電絕緣材料包括處于含二氧化硅層上方的含氮化硅層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述去除所述第一電絕緣材料的至少大部分去除所述含氮化硅層和所述含二氧化硅層兩者。

14.根據權利要求10所述的方法，其中所述蝕刻到所述隔離區的襯底中使所述襯底凹進到所述凹進式通路裝置溝渠的最低水平面下方的水平面。

15.根據權利要求10所述的方法，其中所述通路裝置區為大致橢圓形。

16.根據權利要求10所述的方法，其中所述通路裝置區為大致橢圓形；其中所述大致橢圓形通路裝置區具有主縱向橢圓軸；其中所述凹進式通路裝置溝渠具有主長度軸；且其中所述大致橢圓形通路裝置區的主縱向橢圓軸大致垂直于所述凹進式通路裝置溝渠的主長度軸。

17.根據權利要求10所述的方法，其中所述通路裝置區為大致橢圓形；其中所述大致橢圓形通路裝置區具有主縱向橢圓軸；其中所述凹進式通路裝置溝渠具有主長度軸；且其中所述大致橢圓形通路裝置區的主縱向橢圓軸并不大致垂直于所述凹進式通路裝置溝渠的主長度軸。