[發明專利]離子導體

有效

• 申請號: 200680008526.8
• 申請日: 2006-03-13
• 公開（公告）號: CN101142150A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 黑羽智宏;谷口升
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: C04B35/00
• 分類號: C04B35/00;C04B35/50;G01N27/41;G01N27/416
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 孫秀武;吳娟

1.離子導體，包含式(1)代表的鈣鈦礦氧化物：B_aZr_aCe_bM¹_cL¹_dO_3-α...(1)

其中M¹是選自稀土元素、In、Mn、Fe、Co、Ni、Al和Ga中的至少一種元素，L¹是選自P、B和N中的至少一種元素，a、b、c、d和α滿足：0≤a＜1.2，0＜b＜1.2，0＜c＜1.2，0.9＜a+b+c＜1.2，0＜d＜0.1和0＜α＜3。

2.權利要求1的離子導體，其中所述M¹為選自Pr、Y、Yb、Gd和In中的至少一種元素。

3.權利要求1的離子導體，其中滿足a＝0。

4.權利要求1的離子導體，其中滿足a＝0且所述M¹是In。

5.權利要求4的離子導體，其中滿足1≤b+c＜1.2。

6.權利要求4的離子導體，其中所述L¹是P。

7.包含權利要求1-6中任意一項的離子導體作為固體電解質的電化學裝置。

8.包含權利要7的電化學裝置的燃料電池。