[發明專利]反向極化的Ⅲ族氮化物發光器件

有效

• 申請號: 200680008336.6
• 申請日: 2006-03-10
• 公開（公告）號: CN101164209A
• 公開（公告）日: 2008-04-16
• 發明（設計）人: J·J·小韋勒;M·G·克拉福特;J·埃普勒;M·R·卡拉梅斯
• 申請（專利權）人: 飛利浦拉米爾德斯照明設備有限責任公司
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/323;H01S5/32;H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 龔海軍;譚祐祥

1.一種結構，包括：

器件結構，包括設置在p型區和n型區之間的III族氮化物發光區，發光區包括纖鋅礦晶體結構；和

設置在兩個表面之間的鍵合的界面，其中的一個表面是所說器件結構的表面；

其中：纖鋅礦c軸的指向確定為從III族氮化物晶胞的氮面指向III族氮化物晶胞的鎵面，所說纖鋅礦c軸穿過設置在發光區和p型區之間的界面指向所說的發光區。

2.權利要求1的結構，其中：兩個表面都是GaN。

3.權利要求1的結構，其中：兩個表面之一是從下面的組中選擇出來的：GaN、AlN、InGaN、SiC、Si。

4.權利要求1的結構，其中：器件結構的表面是III族氮化物的表面，它是p型、n型和未經摻雜的之一。

5.權利要求1的結構，其中：兩個表面之一包括電介質層。

6.權利要求5的結構，其中：電介質層是從下面的組中選擇出來的：SiO₂、Si₃N₄、SiON、TiO₂、SiO₂、SnO₂、ZrO₂、ZnO、MgF₂、Al₂O₃。

7.權利要求1的結構，其中：兩個表面之一是有紋理結構的。

8.權利要求7的結構，其中：有紋理結構的表面包括在有紋理結構的表面中形成的空穴的周期陣列。

9.權利要求8的結構，其中：空穴的周期陣列的點陣常數在0.1λ和4λ之間，其中的λ是發光區中光的波長。

10.權利要求1的結構，其中：鍵合的界面是一個半導體鍵合，并且基本上是無金屬的。

11.權利要求1的結構，進一步還包括：設置在鍵合的界面上的金屬層。

12.權利要求1的結構，進一步還包括：設置在鍵合的界面上的金屬-半導體合金。

13.權利要求1的結構，進一步還包括：電連接到n型區和p型區的觸點。

14.權利要求1的結構，進一步還包括：

一個臺面，包括發光區的一部分；和

設置在所說臺面的相對端的激光器小面。

15.一種形成半導體發光器件的方法，所說的方法包括如下步驟：

提供在生長基底上生長的外延結構；

通過在兩個表面之間的鍵合來鍵合所說外延結構到主基底上，其中：所述表面的至少一個是III族氮化物表面；

除去生長基底以露出外延結構的一個表面；

除去生長基底以后，在外延結構上或外延結構中形成一個p型區。

16.權利要求15的方法，其中：提供外延結構包括在生長基底上生長III族氮化物結構，以使除去生長基底后露出的表面是纖鋅礦III族氮化物晶胞的氮面。

17.權利要求15的方法，進一步還包括：在除去生長基底后使所說外延結構變薄。

18.權利要求15的方法，其中：形成p型區包括在半導體區內擴散或植入p型摻雜劑。

19.權利要求15的方法，其中：形成p型區包括退火外延結構的一個外露的表面。

20.權利要求15的方法，其中：形成p型區包括生長一個p型區。

21.權利要求15的方法，其中外延結構包括：

在生長基底上生長的第一區；

在第一區上生長的發光區；和

在發光層上生長的n型區。

22.權利要求21的方法，其中：鍵合包括鍵合主結構到外延結構，以使n型區設置在發光區和鍵合之間。

23.權利要求22的方法，進一步還包括：在除去生長基底后，使第一區變薄。

24.權利要求22的方法，進一步還包括：將p型摻雜劑擴散或植入到第一區的剩余部分中。

25.權利要求24的方法，進一步還包括：在擴散或植入后退火所說剩余部分。