[發明專利]多晶陶瓷結構中的磷光體和包括該磷光體的發光元件

有效

• 申請號: 200680008335.1
• 申請日: 2006-03-10
• 公開（公告）號: CN101142857A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: J·德格拉夫;T·A·科普
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: H05B33/20
• 分類號: H05B33/20;H01L33/00;C09K11/80;C04B35/44
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李靜嵐;譚祐祥

1.一種多晶陶瓷結構中的磷光體，包括摻雜的YAG型磷光體，其特征在于，該磷光體嵌入在包括非發光多晶氧化鋁的陶瓷基質中，其中陶瓷基質包括80到99.99vol.％的氧化鋁和0.01到20vol.％的磷光體。

2.根據權利要求1的多晶陶瓷結構中的磷光體，其中陶瓷基質復合材料的至少90％的孔具有0～300nm的平均孔徑大小，優選為0～100nm。

3.根據權利要求1或2的多晶陶瓷結構中的磷光體，其中磷光體為具有下述組分的摻雜的YAG:(Lu_1-x-y-a-bY_xGd_y)₃(Al_1-zGa_z)₅O₁₂:Ce_aPr_b，其中0≤x≤1；0≤y＜1；0≤z≤0.1；0≤a≤0.2；0≤b≤0.1；以及a+b＞0。

4.根據權利要求1至3中任何一項的多晶陶瓷結構中的磷光體，其中陶瓷基質包括90到99.9vol.％的氧化鋁和0.1到10vol.％的磷光體。

5.根據權利要求4的多晶陶瓷結構中的磷光體，其中基質包括95到99vol.％的氧化鋁和1到5vol.％的磷光體。

6.根據權利要求1到5中任何一項的多晶陶瓷結構中的磷光體，其中陶瓷基質中包括的晶粒的平均粒度為0.3到50μm。

7.一種發光元件，其包括發光二極管(LED)和根據權利要求1到6中任何一項的摻雜的YAG型磷光體。

8.根據權利要求7的發光元件，其中發光陶瓷基質復合材料用作LED頂部上的板或者用作LED上方的成形的帽狀物，并且具有在大約50μm到大約1mm之間的厚度。

9.一種發光設備，其包括權利要求7的元件。

10.一種制造權利要求1到6中任何一項的多晶陶瓷結構中的磷光體的方法，包括將磷光體粉末和氧化鋁顆粒轉變成漿料，使漿料成形為包含多晶磷光體的陶瓷氧化鋁復合材料結構，然后實施熱處理，可選擇地結合熱等靜壓成陶瓷基質，之后將陶瓷基質安裝到LED上。

11.根據權利要求10的方法，其中通過粉漿澆鑄或者噴射模塑，將漿料成形為包含多晶磷光體的陶瓷基質，從而獲得陶瓷光-轉換封裝、準直透鏡或者準直反射鏡、用于光的耦合輸出結構、或者散熱設備。

12.一種調節根據權利要求1到6中任何一項的多晶陶瓷結構中的磷光體的光散射性質的方法，通過改變如下至少之一來實現：

-陶瓷基質中磷光體和氧化鋁的份額；

-陶瓷基質中包含的顆粒的平均粒度；以及

-陶瓷基質的多孔性。

13.一種調節根據權利要求1到6中任何一項的多晶陶瓷結構中的磷光體的光發射性質的方法，通過改變如下至少之一來實現：

-陶瓷基質中磷光體和氧化鋁的份額；

-磷光體中Ce和/或Pr與YAG的比率；以及

-YAG的組分。

14.一種制造權利要求7或8的發光元件的方法，包括權利要求10到13中任何一項的步驟，因此陶瓷基質被安裝在LED上。